91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

IRF3007STRLPBF-VB一款TO263封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF3007STRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IRF3007STRLPBF-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,封裝為TO263。它支持高達(dá)80V的漏源電壓(V_DS)和120A的漏電流(I_D),設(shè)計(jì)用于處理高電壓和大電流應(yīng)用。MOSFET的導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))非常低,在V_GS = 4.5V時為10mΩ,在V_GS = 10V時為6mΩ,這使得它在高電流操作時具有極低的功耗和熱量。采用Trench技術(shù),IRF3007STRLPBF-VB 提供了卓越的開關(guān)性能和高效能,適合各種要求高效能的電源和電流管理系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: IRF3007STRLPBF-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單級N溝道
- **漏源電壓(V_DS)**: 80V
- **柵源電壓(V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓(V_th)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))**:
 - 10mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 6mΩ @ V_GS = 10V
- **漏電流(I_D)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高電壓電源管理**:
  - IRF3007STRLPBF-VB 的高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于高電壓電源管理系統(tǒng)。它能夠高效地管理和轉(zhuǎn)換電源,減少能量損耗,提升系統(tǒng)的總體效率。

2. **電動汽車**:
  - 在電動汽車的電池管理和電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,該MOSFET 的高電流承載能力和低功耗特性支持高功率操作,適合滿足電動汽車在極端條件下的穩(wěn)定運(yùn)行需求。

3. **工業(yè)電源模塊**:
  - 在工業(yè)電源模塊中,IRF3007STRLPBF-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻可以提升系統(tǒng)的功率密度和效率,特別是在高負(fù)載的工業(yè)環(huán)境中表現(xiàn)出色。

4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  - 這款MOSFET 適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,通過處理高電流和高電壓并保持低功耗,滿足高效電壓轉(zhuǎn)換的要求,廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。

5. **大功率LED驅(qū)動**:
  - 由于其優(yōu)異的開關(guān)性能和低功率損耗,IRF3007STRLPBF-VB 也適用于大功率LED驅(qū)動電路,為LED提供穩(wěn)定的電流,確保高效能和長壽命。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    517瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    439瀏覽量