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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF7413QTRPBF-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF7413QTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介——IRF7413QTRPBF-VB

IRF7413QTRPBF-VB 是一款采用 SOP8 封裝的單 N 溝道 MOSFET,專為高效開關(guān)和負(fù)載管理應(yīng)用設(shè)計。其額定漏源極電壓為 30V,最大門極源極電壓為 ±20V。基于先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),該器件具備極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,非常適合高效能電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻使其在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠顯著降低功耗并提高整體系統(tǒng)的效率。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: SOP8
- **極性配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **門極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **門極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 8mΩ @ VGS=10V
 - 11mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源開關(guān)**: IRF7413QTRPBF-VB 適用于高效的電源開關(guān)應(yīng)用。在電源適配器和電池管理系統(tǒng)中,其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能夠有效降低功耗,并提高系統(tǒng)效率。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 可以作為開關(guān)元件,提供高效能的電源轉(zhuǎn)換。其低 RDS(ON) 特性確保了高效的能量傳輸,特別適合需要高頻開關(guān)的應(yīng)用場景。

3. **負(fù)載管理**: 用于負(fù)載開關(guān)管理的應(yīng)用中,如工業(yè)設(shè)備和消費電子產(chǎn)品,IRF7413QTRPBF-VB 能夠高效地控制大電流負(fù)載,減少熱損耗和功率損失。

4. **開關(guān)模式電源(SMPS)**: 在開關(guān)模式電源(SMPS)模塊中,這款 MOSFET 能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和高效率,確保電源模塊在高負(fù)荷條件下的可靠性和性能。

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