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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF7413ZUTRPBF-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF7413ZUTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF7413ZUTRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

**IRF7413ZUTRPBF-VB** 是一款高性能 **單級(jí)N溝道MOSFET**,采用了 **SOP8** 封裝,適用于需要小型化和高效率的應(yīng)用場(chǎng)合。它能夠承受 **30V** 的 **漏源電壓(VDS)** 和 ±20V 的 **柵源電壓(VGS)**。該MOSFET 具有 **1.7V** 的 **閾值電壓(Vth)**,確保低柵極驅(qū)動(dòng)電壓下能夠可靠開(kāi)啟。其在 **4.5V柵源電壓** 下的 **RDS(ON)** 為 **11mΩ**,在 **10V柵源電壓** 下為 **8mΩ**,顯示出其極低的導(dǎo)通電阻。具備 **13A** 的 **漏電流(ID)**,并使用 **Trench** 技術(shù),優(yōu)化了開(kāi)關(guān)性能和熱管理,適合在各種高效率功率管理應(yīng)用中使用。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝:** SOP8
- **配置:** 單級(jí)N溝道MOSFET
- **漏源電壓(VDS):** 30V
- **柵源電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **RDS(ON):** 11mΩ @ VGS = 4.5V  
 8mΩ @ VGS = 10V
- **漏電流(ID):** 13A
- **技術(shù):** Trench
- **開(kāi)關(guān)速度:** 高,適合快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用
- **功耗:** 低,適合高效能電路設(shè)計(jì)

---

### 應(yīng)用實(shí)例:

1. **DC-DC變換器:**  
  IRF7413ZUTRPBF-VB 非常適用于 **DC-DC變換器** 中。其低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度使其在需要高效能和小型化的電源轉(zhuǎn)換模塊中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠有效減少能量損耗和發(fā)熱。

2. **電池管理系統(tǒng):**  
  在 **電池管理系統(tǒng)** 中,這款MOSFET 可以用作 **電池開(kāi)關(guān)** 和 **保護(hù)電路**。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻可以提高系統(tǒng)效率,并確??煽康碾姵乇Wo(hù)和控制。

3. **LED驅(qū)動(dòng)器:**  
  該MOSFET 適用于 **LED驅(qū)動(dòng)電路**,特別是在高亮度和高功率LED應(yīng)用中。低RDS(ON) 和快速開(kāi)關(guān)性能保證了LED驅(qū)動(dòng)的高效能和長(zhǎng)壽命。

4. **負(fù)載開(kāi)關(guān):**  
  IRF7413ZUTRPBF-VB 也可以用作各種 **負(fù)載開(kāi)關(guān)** 應(yīng)用,如在小型電機(jī)、繼電器驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景中。其高開(kāi)關(guān)速度和低功耗特性適合在小型電源和控制模塊中實(shí)現(xiàn)高效能開(kāi)關(guān)。

這些應(yīng)用示例突顯了 IRF7413ZUTRPBF-VB 在低電壓、小型化和高效能領(lǐng)域中的廣泛適用性,特別是在需要快速開(kāi)關(guān)和高可靠性的電路設(shè)計(jì)中表現(xiàn)優(yōu)異。

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