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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF7458TRPBF-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF7458TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF7458TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**IRF7458TRPBF-VB** 是一款單N溝MOSFET,采用**Trench**技術(shù),封裝為**SOP8**。該器件具有**30V**的**漏極-源極電壓(VDS)**,適用于中等電壓的應(yīng)用。MOSFET的**柵極-源極電壓(VGS)**范圍為±20V,確保在各種操作條件下的穩(wěn)定性。它的**閾值電壓(Vth)**為**1.7V**,具有**11mΩ**(在VGS=4.5V時(shí))和**8mΩ**(在VGS=10V時(shí))的低**RDS(ON)**值,這使其在開(kāi)關(guān)操作中具有高效能。其**漏極電流(ID)**為**13A**,適合處理中功率級(jí)別的應(yīng)用。

### IRF7458TRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)
- **封裝:** SOP8
- **配置:** 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **漏極電流(ID):** 13A
- **RDS(ON):** 11mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON):** 8mΩ @ VGS = 10V
- **技術(shù):** Trench

### 應(yīng)用示例
**IRF7458TRPBF-VB** MOSFET 在以下領(lǐng)域和模塊中表現(xiàn)出色:

1. **電源開(kāi)關(guān):** 由于其低RDS(ON)值和較高的電流處理能力,IRF7458TRPBF-VB 適合用作電源開(kāi)關(guān)。例如,在電源管理模塊中,它可以高效地開(kāi)關(guān)電流,減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器:** 該MOSFET適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器電路,特別是在需要中等電壓和電流的場(chǎng)合。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于提高轉(zhuǎn)換效率和降低熱量。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** IRF7458TRPBF-VB 可用于小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,尤其是在需要高效率開(kāi)關(guān)的應(yīng)用中,例如玩具電動(dòng)機(jī)或小型家電。其13A的電流能力使其適合處理電機(jī)的啟動(dòng)和運(yùn)行電流。

4. **負(fù)載開(kāi)關(guān):** 在各種負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,如LED驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等,該MOSFET能夠提供高效的開(kāi)關(guān)操作。其低RDS(ON)值能有效降低開(kāi)關(guān)時(shí)的功率損耗,增強(qiáng)系統(tǒng)的整體性能。

該MOSFET因其高效能和可靠性,特別適合用于需要高效能開(kāi)關(guān)和中等電流處理的各種應(yīng)用場(chǎng)合。

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