--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介:
**IRF7463TR-VB** 是一款由國際整流器公司(IR)推出的高性能N溝道MOSFET,封裝形式為SOP8,適用于低壓開關(guān)應(yīng)用。這款MOSFET 支持30V的最大漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),采用Trench技術(shù),提供極低的導通電阻和高效的開關(guān)性能。其1.7V的低閾值電壓(Vth)確保其在低電壓驅(qū)動條件下仍能提供出色的導通性能,非常適合電流密集型應(yīng)用。
### 二、詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單N溝道MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 4.5V: 11mΩ
- @VGS = 10V: 8mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:13A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽型)
- **工作溫度**:-55°C 至 170°C
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明:
1. **便攜式電子設(shè)備電源管理**:
IRF7463TR-VB 在便攜式設(shè)備(如智能手機、平板電腦和筆記本電腦)中表現(xiàn)優(yōu)異,尤其是電源管理模塊。這款MOSFET 的低導通電阻和高電流處理能力使其在充電器、升壓/降壓轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)中起到重要作用,確保設(shè)備的高效電源轉(zhuǎn)換和低功耗特性。
2. **電機控制與驅(qū)動**:
由于其能夠承受高電流(13A),這款MOSFET 適用于小型電機驅(qū)動系統(tǒng),如機器人設(shè)備和小型電動工具。低導通電阻確保電機啟動時的電流損耗最小,提供穩(wěn)定的電機控制性能,適合需要高效驅(qū)動的小型負載設(shè)備。
3. **直流-直流轉(zhuǎn)換器**:
IRF7463TR-VB 在DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中非常適用,尤其是在要求高電流和低電壓的場景中,如服務(wù)器電源和電信設(shè)備的電源模塊。它的低導通電阻和快速開關(guān)特性有助于提高轉(zhuǎn)換效率,減少功耗和熱損失。
4. **負載開關(guān)應(yīng)用**:
該MOSFET 能夠在負載開關(guān)模塊中用于切換電源和負載,尤其是在自動化系統(tǒng)、智能家居設(shè)備和工業(yè)控制器中,確保穩(wěn)定的電流管理和高效能的開關(guān)操作。其出色的電氣性能支持更低功耗和更高可靠性的負載開關(guān)應(yīng)用。
IRF7463TR-VB 的設(shè)計特性使其成為中低壓電源管理、負載開關(guān)和小型電機控制等應(yīng)用領(lǐng)域中的理想選擇,能夠提供高效、可靠的開關(guān)和電流控制。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12