### 產(chǎn)品簡介

IRF7467TRPBF-VB 是一款高效的單N溝道功率MOSFET，封裝為SOP8。這款MOSFET的漏源電壓（VDS）為30V，柵源電壓（VGS）為±20V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）分別為11mΩ@VGS=4.5V 和 8mΩ@VGS=10V，確保了低損耗的電流傳導(dǎo)。其閾值電壓（Vth）為1.7V，能夠在較低的柵極電壓下啟動，最大漏極電流（ID）為13A。IRF7467TRPBF-VB 使用Trench技術(shù)，提供卓越的開關(guān)性能和高效能，特別適用于便攜式設(shè)備、電源管理以及開關(guān)電路等領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 值                    |
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| 器件型號            | IRF7467TRPBF-VB       |
| 封裝                | SOP8                  |
| 極性                | 單N溝道               |
| 漏源電壓 (VDS)      | 30V                   |
| 柵源電壓 (VGS)      | ±20V                  |
| 閾值電壓 (Vth)      | 1.7V                  |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))  | 11mΩ @ VGS=4.5V       |
|                     | 8mΩ @ VGS=10V         |
| 漏極電流 (ID)       | 13A                   |
| 技術(shù)                | Trench                |

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **便攜式電子設(shè)備**
  - IRF7467TRPBF-VB 非常適合便攜式電子設(shè)備中的電源管理應(yīng)用，如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦。這款MOSFET的低導(dǎo)通電阻可減少電流傳導(dǎo)損耗，提升設(shè)備的能效，幫助延長電池續(xù)航時(shí)間。

2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**
  - 該MOSFET的高效開關(guān)能力使其在DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色。低RDS(ON)值意味著可以降低功率損耗，特別適合用于需要高效能的小型電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，確保能量的高效傳遞。

3. **負(fù)載開關(guān)和開關(guān)電路**
  - IRF7467TRPBF-VB 適用于負(fù)載開關(guān)和一般開關(guān)電路，其高電流能力和快速開關(guān)特性可以滿足高頻操作需求。在高頻設(shè)備中使用這款MOSFET，可以提升系統(tǒng)響應(yīng)速度和降低電路能耗。

4. **工業(yè)和汽車控制**
  - 在工業(yè)控制和汽車電子領(lǐng)域，該MOSFET可以用于各種驅(qū)動和控制電路。由于其高效開關(guān)性能和緊湊的封裝設(shè)計(jì)，適合在空間有限的應(yīng)用中提供穩(wěn)定的性能，例如傳感器接口、自動化系統(tǒng)以及汽車電源控制模塊。