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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF7475TRPBF-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF7475TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF7475TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRF7475TRPBF-VB** 是一款N溝道功率MOSFET,采用**SOP8**封裝,專為低電壓、高效率的開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在4.5V和10V的柵源電壓下表現(xiàn)優(yōu)異。IRF7475TRPBF-VB 采用溝槽技術(shù)(Trench),能夠顯著提高開關(guān)速度和效率,并降低功耗。其緊湊的封裝設(shè)計(jì)和優(yōu)良的電氣性能,使其非常適合各種便攜式和高效電源系統(tǒng)。

### IRF7475TRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)

- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單個(gè) N 溝道 MOSFET
- **VDS(漏源電壓)**: 30V
- **VGS(柵源電壓)**: ±20V
- **Vth(閾值電壓)**: 1.7V(典型值)
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏電流)**: 13A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **便攜式設(shè)備電源管理**: IRF7475TRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高效能使其適合應(yīng)用于便攜式設(shè)備的電源管理系統(tǒng),如智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴設(shè)備中的電源開關(guān)和電力調(diào)節(jié)。它能夠在低電壓下高效工作,減少功耗,延長(zhǎng)電池壽命。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: 在小型DC-DC轉(zhuǎn)換器中,這款MOSFET能夠提供高效的電力轉(zhuǎn)換性能,適合應(yīng)用于手機(jī)充電器、無線充電裝置和便攜式設(shè)備的電源模塊。其優(yōu)異的開關(guān)特性和低功耗使其成為高效電源解決方案中的理想選擇。

3. **負(fù)載開關(guān)與電池保護(hù)電路**: IRF7475TRPBF-VB 可用于各種負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)電路中,特別是在需要高效能和精確電流控制的應(yīng)用場(chǎng)景,如筆記本電腦電源管理、家庭自動(dòng)化設(shè)備以及智能家電中。

4. **電機(jī)控制系統(tǒng)**: 此MOSFET也非常適合用于控制小型直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī),廣泛應(yīng)用于機(jī)器人、無人機(jī)、自動(dòng)化系統(tǒng)以及其他需要高效電流控制的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中。

IRF7475TRPBF-VB 是一款高性能、低功耗的MOSFET,適用于各種需要高效電源管理、快速開關(guān)性能的電子設(shè)備中。其廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景使其成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵元件。

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