--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IRF7807ATR-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
IRF7807ATR-VB 是一款高效的 N-channel MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為低電壓應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 提供了出色的導(dǎo)通電阻和電流處理能力,適用于需要高效開關(guān)和低功耗的系統(tǒng)。其最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)范圍為 ±20V,支持多種驅(qū)動電壓。其閾值電壓(Vth)為 1.7V,能夠在較低的柵極電壓下開啟。在 VGS 為 4.5V 時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 11mΩ,VGS 為 10V 時進一步降低至 8mΩ,確保高效的電流傳輸和低功耗。最大連續(xù)漏電流(ID)為 13A,非常適合功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載開關(guān)控制等應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝形式:** SOP8
- **配置:** 單 N-channel MOSFET
- **VDS(漏源電壓):** 30V
- **VGS(柵源電壓):** ±20V
- **Vth(柵極閾值電壓):** 1.7V
- **RDS(ON):** 11mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON):** 8mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏電流):** 13A
- **技術(shù):** Trench 技術(shù),實現(xiàn)低功耗和高效開關(guān)性能
### 應(yīng)用示例
1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器:**
IRF7807ATR-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,特別適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器模塊。它能夠提高電源轉(zhuǎn)換的效率,減少功率損耗,適用于手機、筆記本電腦等便攜設(shè)備的電源管理。
2. **負(fù)載開關(guān):**
在工業(yè)控制設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中,IRF7807ATR-VB 適合作為負(fù)載開關(guān)的核心元件。它的快速響應(yīng)和低導(dǎo)通損耗使得它能夠高效地切換負(fù)載,從而優(yōu)化系統(tǒng)功耗,提升整體可靠性。
3. **電機控制:**
該 MOSFET 的高電流能力和低 RDS(ON) 特性使其成為小型電機驅(qū)動應(yīng)用中的理想選擇。它能為低電壓電機提供穩(wěn)定的電流控制,常用于智能家居設(shè)備中的電機控制模塊。
4. **電池管理系統(tǒng):**
IRF7807ATR-VB 的低功耗和高效性能也使其適用于電池管理系統(tǒng)中,用于控制電池充放電過程,延長電池壽命并提高系統(tǒng)效率。
該產(chǎn)品憑借其優(yōu)異的開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,廣泛適用于便攜設(shè)備電源管理、工業(yè)自動化控制等多個領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12