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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF7807TRPBF-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF7807TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF7807TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**IRF7807TRPBF-VB** 是一款單N溝道MOSFET,封裝為**SOP8**,采用了**Trench**技術(shù),能夠提供卓越的開關(guān)性能。該器件的最大**漏極-源極電壓(VDS)**為**30V**,支持±20V的**柵極-源極電壓(VGS)**,適合多種電壓調(diào)控的應(yīng)用場(chǎng)合。其**閾值電壓(Vth)**為**1.7V**,同時(shí)具有較低的**導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:在**VGS=4.5V**時(shí)為**11mΩ**,在**VGS=10V**時(shí)為**8mΩ**。該器件的最大**漏極電流(ID)**為**13A**,能夠處理中等電流,適合高效電源管理和開關(guān)電路的應(yīng)用。

### IRF7807TRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)
- **封裝:** SOP8
- **配置:** 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **漏極電流(ID):** 13A
- **RDS(ON):** 11mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON):** 8mΩ @ VGS = 10V
- **技術(shù):** Trench

### 應(yīng)用示例
**IRF7807TRPBF-VB** MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其適用于多個(gè)領(lǐng)域:

1. **電源管理系統(tǒng):** 該MOSFET在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,尤其是用于低電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器的高效開關(guān)。其低RDS(ON)使得電源轉(zhuǎn)換效率大幅提高,減少了能量損失,適合手機(jī)、筆記本電腦等便攜設(shè)備的電源管理。

2. **負(fù)載開關(guān):** 在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,IRF7807TRPBF-VB能夠高效控制電源的通斷,其低導(dǎo)通電阻幫助減少電路中的發(fā)熱和功率損耗,適合用于服務(wù)器、通信設(shè)備和家電中的負(fù)載控制。

3. **電池保護(hù)電路:** 該器件在電池管理系統(tǒng)中可以作為高效開關(guān),用于防止電池過(guò)充或過(guò)放電。由于其良好的開關(guān)性能和低電壓操作能力,特別適合用于鋰電池保護(hù)模塊中。

4. **電機(jī)控制:** 在低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,IRF7807TRPBF-VB能夠提供穩(wěn)定的電流控制,其高達(dá)13A的漏極電流使其能夠驅(qū)動(dòng)小型電機(jī),非常適合電動(dòng)車窗、電動(dòng)車座椅等應(yīng)用。

5. **消費(fèi)電子:** 這款MOSFET還可以廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)電子設(shè)備中,如電視機(jī)、音響系統(tǒng)、智能家居設(shè)備等,通過(guò)其良好的開關(guān)性能提高設(shè)備的能效,延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命。

IRF7807TRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻、高電流處理能力以及出色的開關(guān)效率,使其在電源管理、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)以及電機(jī)控制等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。

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