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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF7809ATRPBF-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF7809ATRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF7809ATRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

**IRF7809ATRPBF-VB** 是一款高性能的N溝道功率MOSFET,采用**SOP8**封裝,專為高效電源管理及開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)為±20V,適用于需要高效電流控制和低導(dǎo)通電阻的電路設(shè)計。該MOSFET 采用溝槽技術(shù)(Trench),在提供出色的開關(guān)特性同時,實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻,使其非常適合各種電源轉(zhuǎn)換和電流驅(qū)動應(yīng)用。

### IRF7809ATRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)

- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單個 N 溝道 MOSFET
- **VDS(漏源電壓)**: 30V
- **VGS(柵源電壓)**: ±20V
- **Vth(閾值電壓)**: 1.7V(典型值)
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏電流)**: 13A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源轉(zhuǎn)換模塊**: IRF7809ATRPBF-VB 適用于各類高效DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源模塊,尤其是需要高電流密度、快速開關(guān)性能的應(yīng)用場景。其低導(dǎo)通電阻確保在功率轉(zhuǎn)換時的損耗最小,提升了系統(tǒng)的整體能效。

2. **負(fù)載開關(guān)**: 在需要處理高電流且具有低功耗需求的負(fù)載開關(guān)場景中,IRF7809ATRPBF-VB 也非常合適。它可應(yīng)用于家用電器、智能設(shè)備及便攜式電子設(shè)備中,確保高效的負(fù)載控制和低功耗運行。

3. **電機控制系統(tǒng)**: 該MOSFET 具備良好的電流處理能力,適合用于中小功率的電機控制和驅(qū)動電路,如電動工具和智能家居產(chǎn)品中的電機驅(qū)動模塊,確保高效的電流控制和快速響應(yīng)時間。

4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**: 在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET 可用于電池保護電路及電流切換模塊,保障系統(tǒng)的電流管理精度并減少功耗。它能夠在電動車、電動工具以及儲能系統(tǒng)中發(fā)揮作用,優(yōu)化電源管理。

IRF7809ATRPBF-VB 以其卓越的低導(dǎo)通電阻和高效能表現(xiàn),廣泛適用于功率轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、驅(qū)動控制和電池管理等應(yīng)用中,尤其在需要高效、高密度開關(guān)的電路中表現(xiàn)尤為出色。

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