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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF7811WTR-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF7811WTR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF7811WTR-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**IRF7811WTR-VB** 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用**SOP8**封裝,并運(yùn)用了**Trench**技術(shù)。其最大**漏極-源極電壓(VDS)**為**30V**,能夠承受高達(dá)±20V的**柵極-源極電壓(VGS)**。該器件的**閾值電壓(Vth)**為**1.7V**,表現(xiàn)出低的**導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:在**VGS=4.5V**時(shí)為**11mΩ**,在**VGS=10V**時(shí)為**8mΩ**。**漏極電流(ID)**的最大值為**13A**,使其在中等功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,適合需要高效開(kāi)關(guān)的電路。

### IRF7811WTR-VB 詳細(xì)參數(shù)
- **封裝:** SOP8
- **配置:** 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **漏極電流(ID):** 13A
- **RDS(ON):** 11mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON):** 8mΩ @ VGS = 10V
- **技術(shù):** Trench

### 應(yīng)用示例
**IRF7811WTR-VB** MOSFET 適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合以下應(yīng)用:

1. **電源管理:** 在電源管理系統(tǒng)中,IRF7811WTR-VB 能夠有效控制DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān),其低RDS(ON)有助于提升轉(zhuǎn)換效率,減少功率損失,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源、手機(jī)充電器等設(shè)備的電源管理模塊。

2. **負(fù)載開(kāi)關(guān):** 該MOSFET的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。在家電設(shè)備、工業(yè)控制器和汽車(chē)電子中,用于開(kāi)關(guān)電源或負(fù)載,從而提高整體能效和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

3. **電池保護(hù):** 在電池保護(hù)電路中,IRF7811WTR-VB 能夠作為電池保護(hù)開(kāi)關(guān),防止過(guò)充和過(guò)放電。其穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能和低功耗特性使其適用于鋰電池管理系統(tǒng),提升電池安全性。

4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該MOSFET能夠高效控制電機(jī)的開(kāi)關(guān),特別適用于小型電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制,如電動(dòng)工具、電動(dòng)車(chē)窗等應(yīng)用,能夠提供穩(wěn)定的電流控制和良好的熱管理。

5. **消費(fèi)電子:** IRF7811WTR-VB 可以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子設(shè)備中,包括電視機(jī)、音響系統(tǒng)、智能家居設(shè)備等。其高效的開(kāi)關(guān)能力幫助提高設(shè)備的能效和可靠性,延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。

由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,IRF7811WTR-VB 在電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和消費(fèi)電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用潛力。

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