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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF7821UTRPBF-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF7821UTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF7821UTRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

**IRF7821UTRPBF-VB** 是一款高性能的N溝道功率MOSFET,采用**SOP8**封裝設(shè)計。該MOSFET 專為高電流和高效能開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化,具有30V的最大漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為1.7V,適用于在較低柵電壓下進行可靠的開關(guān)操作。IRF7821UTRPBF-VB 采用溝槽技術(shù)(Trench),提供了優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻,確保在高電流應(yīng)用中的高效性能和穩(wěn)定性。

### IRF7821UTRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)

- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單個 N 溝道 MOSFET
- **VDS(漏源電壓)**: 30V
- **VGS(柵源電壓)**: ±20V
- **Vth(閾值電壓)**: 1.7V(典型值)
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏電流)**: 13A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**: IRF7821UTRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于高效能的電源管理系統(tǒng)。它可以在各種DC-DC轉(zhuǎn)換器中提供優(yōu)異的開關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于計算機電源、工業(yè)電源及通信設(shè)備中的電源轉(zhuǎn)換模塊。

2. **負(fù)載開關(guān)**: 由于其優(yōu)異的電流處理能力和低功耗特點,IRF7821UTRPBF-VB 適用于高電流負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。例如,在家電負(fù)載開關(guān)、便攜式電子設(shè)備和其他需要高效電流控制的場合中,它能夠確保穩(wěn)定的開關(guān)操作和低能耗。

3. **電機驅(qū)動電路**: 該MOSFET 在電機驅(qū)動電路中的應(yīng)用表現(xiàn)出色,特別是對于需要處理較大電流的電機控制系統(tǒng)。它適用于電動工具、電動車以及各種智能設(shè)備中的電機控制模塊,提供高效的電流切換和控制功能。

4. **電池保護和管理**: IRF7821UTRPBF-VB 也非常適合用于電池管理系統(tǒng)(BMS)中,包括電池保護電路和電流切換模塊。它可以在電動車、電動工具和儲能系統(tǒng)中有效地管理電流,保護電池免受過流和過壓影響。

IRF7821UTRPBF-VB 以其卓越的開關(guān)性能、低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,在電源管理、電機驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用中,提供了高效、可靠的解決方案。

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