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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF7823TRPBF-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF7823TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介:

**IRF7823TRPBF-VB** 是一款高效的單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,基于先進的Trench技術(shù)。該MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為30V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,具有1.7V的閾值電壓(Vth)。它的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))非常低,分別為11mΩ(@VGS=4.5V)和8mΩ(@VGS=10V),可以有效降低功耗并提高電路的效率。最大漏極電流(ID)為13A,使其適用于高電流應(yīng)用。IRF7823TRPBF-VB 是高性能開關(guān)應(yīng)用的理想選擇,能夠在苛刻條件下提供可靠的性能。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單N溝道MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - @VGS = 4.5V: 11mΩ
 - @VGS = 10V: 8mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:13A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽型)
- **功率耗散**:2.5W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明:

1. **電源管理與DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  IRF7823TRPBF-VB 是電源管理和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵組件。由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,它能夠有效地降低功耗并提高電源轉(zhuǎn)換效率。此MOSFET 適合用于計算機電源、服務(wù)器電源和工業(yè)電源模塊中,以確保高效的電力轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **負(fù)載開關(guān)與電源分配**:
  在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,IRF7823TRPBF-VB 的高開關(guān)效率和低RDS(ON) 特性使其能夠高效控制各種負(fù)載,包括家用電器和工業(yè)控制系統(tǒng)中的電流。其可靠性和低功耗特性使其在電源分配和負(fù)載控制模塊中表現(xiàn)出色。

3. **電機驅(qū)動**:
  這款MOSFET 特別適合用于電機驅(qū)動應(yīng)用,如電動工具和電動玩具。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻能夠確保平穩(wěn)可靠的電機驅(qū)動,減少熱量產(chǎn)生,提高電機效率,延長設(shè)備使用壽命。

4. **汽車電子**:
  IRF7823TRPBF-VB 在汽車電子系統(tǒng)中,尤其適用于電池管理系統(tǒng)、電源切換和負(fù)載控制模塊。其高效能和穩(wěn)定性在汽車環(huán)境中能夠應(yīng)對高負(fù)載需求,確保車輛電子系統(tǒng)的長期可靠性和穩(wěn)定運行。

IRF7823TRPBF-VB 的高效開關(guān)性能和低功耗特性,使其在多個領(lǐng)域中提供卓越的解決方案,特別適合需要高電流和高效率的應(yīng)用場合。

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