91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K2441-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: K2441-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2441-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

K2441-VB 是一款高效的 **單N溝道** MOSFET,采用 **SOP8** 封裝,專為低電壓、高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計。該器件具有最大 **漏源電壓 (VDS)** 30V,適合在各種電子設(shè)備中使用。其 **門源電壓 (VGS)** 額定為 ±20V,確保其在不同工作條件下的可靠性。閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,使其在較低的驅(qū)動電壓下即可順利導(dǎo)通。K2441-VB 的 **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** 在 VGS=10V 時僅為 8mΩ,表現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)電性能,最大漏電流為 13A,非常適合需要高效能和低功耗的應(yīng)用場合。該器件采用 **Trench** 技術(shù),確保在高頻和高溫條件下的穩(wěn)定性。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:K2441-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **門源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:8mΩ @ VGS=10V;11mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏電流 (ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench
- **工作溫度**:適用于寬廣的溫度范圍。

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

K2441-VB 適用于多種低電壓和高電流的應(yīng)用場景,以下是一些具體的應(yīng)用示例:

1. **電源管理模塊**:該 MOSFET 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 LDO 穩(wěn)壓器中廣泛應(yīng)用,用于提高轉(zhuǎn)換效率和降低功耗,適合于智能手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備。

2. **LED 驅(qū)動器**:K2441-VB 可在 LED 照明應(yīng)用中用作驅(qū)動器,以實現(xiàn)高效的電源控制,適用于家庭照明和商業(yè)照明系統(tǒng)。

3. **電動工具**:該 MOSFET 可以作為電機(jī)控制的開關(guān)元件,廣泛應(yīng)用于電動工具和其他電動設(shè)備中,以實現(xiàn)高效的動力傳輸。

4. **電源開關(guān)**:在計算機(jī)電源供應(yīng)器和家用電器中,K2441-VB 可用于高效開關(guān)電源,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和節(jié)能性能。

K2441-VB 是一款性能卓越的 MOSFET,非常適合各類需要高效率和低功耗的電源管理和控制應(yīng)用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    516瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    439瀏覽量