--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、ME4922-VB 產(chǎn)品簡介
ME4922-VB是一款高性能的**單N溝道MOSFET**,采用**SOP8封裝**設計,適用于各種電源管理和開關應用。該器件的**最大漏極-源極電壓(VDS)**為30V,使其適合中等電壓的應用環(huán)境。ME4922-VB的**柵極-源極電壓(VGS)**范圍為±20V,保證了在多種工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。其具有較低的**導通電阻(RDS(ON))**,在4.5V柵極驅動電壓下為11mΩ,而在10V下更低,達到8mΩ,這使得該器件在高電流應用中能有效減少能量損耗。ME4922-VB的**最大漏極電流(ID)**為13A,能夠滿足多種負載要求,是現(xiàn)代電子設備中理想的開關元件。
---
### 二、ME4922-VB 詳細參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **數(shù)值** | **說明** |
|-------------------------|----------------------------|----------------------------------------------|
| **封裝** | SOP8 | 小型化的八引腳封裝,適合高密度電路設計 |
| **溝道類型** | 單N溝道 | 適合用于開關和放大應用 |
| **VDS** | 30V | 漏極-源極電壓,適合中等電壓應用 |
| **VGS** | ±20V | 柵極-源極電壓范圍 |
| **Vth(閾值電壓)** | 1.7V | MOSFET開啟的最小柵極電壓 |
| **RDS(ON)** | 11mΩ(@VGS=4.5V) | 4.5V柵極驅動電壓下的導通電阻 |
| | 8mΩ(@VGS=10V) | 10V柵極驅動電壓下的導通電阻 |
| **ID(最大漏極電流)** | 13A | 在額定條件下的最大連續(xù)電流 |
| **技術工藝** | Trench(溝槽) | 具備低導通電阻和高開關速度 |
| **應用溫度范圍** | -55°C ~ 150°C | 適用于各種工業(yè)和消費類應用 |
---
### 三、ME4922-VB 應用領域與模塊示例
1. **DC-DC轉換器**
ME4922-VB廣泛應用于DC-DC轉換器中,作為高效的開關元件,能夠實現(xiàn)高電源轉換效率,滿足對小型化和高效能的要求。
2. **電源管理系統(tǒng)**
該MOSFET在電源管理系統(tǒng)中能有效控制電流,支持高效的電源分配和轉換,適用于各種電源模塊和分配系統(tǒng)。
3. **LED驅動電路**
ME4922-VB適用于LED照明驅動電路中,能夠實現(xiàn)穩(wěn)定的電流控制,并具備調(diào)光功能,以滿足不同的亮度需求。
4. **電動工具和電池充電器**
在電動工具和電池充電器中,該器件可作為功率開關,確保高效和安全的電流傳導,提升設備的工作效率。
5. **消費電子產(chǎn)品**
在智能手機、平板電腦等消費電子產(chǎn)品中,ME4922-VB被廣泛應用于電源管理模塊,幫助提高設備的續(xù)航能力和性能。
ME4922-VB以其卓越的性能和廣泛的適用性,成為現(xiàn)代電子設備中不可或缺的開關元件,滿足多種高效能和高負載的應用需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12