91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

MTB13N03Q8-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: MTB13N03Q8-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MTB13N03Q8-VB 產(chǎn)品簡介

**MTB13N03Q8-VB** 是一款采用 **SOP8 封裝**的單 N 溝道 MOSFET,專為低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計。其 **30V 的漏極-源極電壓 (VDS)** 和 **±20V 的柵極-源極電壓 (VGS)** 使其適用于多種負載控制和開關(guān)電路。在較低的柵極驅(qū)動電壓下,該器件表現(xiàn)出優(yōu)異的導通特性,例如在 **VGS=10V** 時導通電阻僅 **8mΩ**,并能提供高達 **13A** 的連續(xù)漏極電流 (ID)。其 **Trench 技術(shù)**使該器件具備更低的導通損耗和更高的開關(guān)速度,是提高系統(tǒng)效率的理想選擇。

---

### MTB13N03Q8-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: SOP8  
- **配置**: 單 N 溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 8mΩ @ VGS = 10V  
- **最大連續(xù)漏電流 (ID)**: 13A  
- **技術(shù)類型**: Trench  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:MTB13N03Q8-VB 常用于低壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換電路,如筆記本電腦、智能手機和便攜式電源中的降壓轉(zhuǎn)換器。其低導通電阻和高電流能力有助于減少能量損耗,提高電源效率。

2. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:在電動車和儲能系統(tǒng)中,該 MOSFET 被用作電池組的開關(guān)控制元件,確保充放電過程中的安全性和效率。

3. **電機驅(qū)動**:該器件適合驅(qū)動小型直流電機,如智能家居設(shè)備中的電機(風扇、窗簾控制系統(tǒng)等),能夠快速響應(yīng)并高效控制電流。

4. **負載開關(guān)**:MTB13N03Q8-VB 可作為高性能負載開關(guān),用于筆記本、路由器和通信設(shè)備中的模塊供電控制,確保不同模塊之間的電源隔離和開關(guān)速度。

5. **LED 驅(qū)動電路**:適用于 LED 驅(qū)動電路中的開關(guān)元件,特別是在汽車照明和智能照明系統(tǒng)中,提高照明控制的靈活性和功率效率。

MTB13N03Q8-VB 以其高電流處理能力、低導通損耗和緊湊的 SOP8 封裝,為多種高效電源管理和開關(guān)電路提供了理想的解決方案,廣泛應(yīng)用于消費電子和工業(yè)領(lǐng)域。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    505瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    426瀏覽量