--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**NTMS4801NR2G-VB** 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專為需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件最大漏源電壓為30V,最大漏電流可達(dá)13A,具備優(yōu)異的導(dǎo)通性能,導(dǎo)通電阻在4.5V和10V時(shí)分別為11mΩ和8mΩ。NTMS4801NR2G-VB采用先進(jìn)的Trench技術(shù),能夠提供快速開關(guān)能力和高效率,廣泛應(yīng)用于各種電源管理和驅(qū)動(dòng)電路。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: NTMS4801NR2G-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 11mΩ
- @ VGS = 10V: 8mΩ
- **最大漏電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
### 適用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理**: NTMS4801NR2G-VB非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力可提高電源效率,降低能耗,適合用于各種電源模塊和電源適配器。
2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中,該MOSFET能夠?yàn)闊o刷直流電動(dòng)機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電動(dòng)機(jī)提供可靠的驅(qū)動(dòng)支持,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具和家電產(chǎn)品中。
3. **LED驅(qū)動(dòng)電路**: NTMS4801NR2G-VB適用于高效的LED驅(qū)動(dòng)電路,提供穩(wěn)定的電流控制,適合于商業(yè)和家庭照明解決方案,如LED燈具和照明控制系統(tǒng)。
4. **通信設(shè)備**: 該器件可以在無線通信設(shè)備的電源管理模塊中使用,確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行,適用于基站、路由器和其他網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。
5. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池充放電管理中,NTMS4801NR2G-VB能夠有效控制電流流動(dòng),適用于電動(dòng)汽車和便攜式電子設(shè)備的電池管理方案。
通過其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,**NTMS4801NR2G-VB** 提供了高效可靠的解決方案,滿足現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的多種需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛