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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTMS4917NR2G-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: NTMS4917NR2G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NTMS4917NR2G-VB 產(chǎn)品簡介

NTMS4917NR2G-VB 是一款高性能的單 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為中等電流和低壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)可達(dá) ±20V,確保在各種應(yīng)用環(huán)境中的穩(wěn)定性和可靠性。該器件的閾值電壓(Vth)為 1.7V,適合低電壓驅(qū)動。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 4.5V 時為 11mΩ,在 VGS 為 10V 時為 8mΩ,提供了卓越的導(dǎo)電性能和低發(fā)熱量,最大漏電流(ID)為 13A,使其能夠高效處理較大的電流負(fù)載。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: NTMS4917NR2G-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單 N 通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理**:
  - NTMS4917NR2G-VB 適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源適配器中,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電流管理,提高能量轉(zhuǎn)換效率,尤其在移動設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品中至關(guān)重要。

2. **負(fù)載開關(guān)**:
  - 該 MOSFET 可作為負(fù)載開關(guān),廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品,確保設(shè)備在不同工作狀態(tài)下的可靠性,適合智能手機(jī)、平板電腦等。

3. **LED 驅(qū)動**:
  - NTMS4917NR2G-VB 適合用于 LED 照明控制,通過提供穩(wěn)定的電流輸出,確保 LED 照明系統(tǒng)的亮度一致性和長壽命,廣泛應(yīng)用于商業(yè)和家庭照明。

4. **電機(jī)驅(qū)動**:
  - 在電動工具和家用電器中,該器件可用于小型電機(jī)的驅(qū)動,提供高效的電源管理,確保電機(jī)的穩(wěn)定和可靠運(yùn)行。

5. **汽車電子**:
  - 在汽車電子應(yīng)用中,該 MOSFET 可用于電源開關(guān)和信號控制,確保高效的電流傳輸和系統(tǒng)的穩(wěn)定性,適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境。

通過以上應(yīng)用領(lǐng)域,NTMS4917NR2G-VB 展現(xiàn)出其在電源管理、負(fù)載開關(guān)、LED 控制等多個領(lǐng)域的廣泛適用性和優(yōu)異性能,成為一款可靠的單 N 通道 MOSFET。

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