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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTMS7N03R2G-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: NTMS7N03R2G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**NTMS7N03R2G-VB** 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專為需要低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的應(yīng)用而設(shè)計。該器件的最大漏源電壓為30V,最大漏電流可達13A,具備優(yōu)秀的導(dǎo)通性能,導(dǎo)通電阻在4.5V和10V時分別為11mΩ和8mΩ。NTMS7N03R2G-VB采用先進的Trench技術(shù),能夠在高頻率開關(guān)條件下實現(xiàn)高效率和低能耗,廣泛應(yīng)用于電源管理和驅(qū)動電路。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: NTMS7N03R2G-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - @ VGS = 4.5V: 11mΩ
 - @ VGS = 10V: 8mΩ
- **最大漏電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**: NTMS7N03R2G-VB廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源,以其低導(dǎo)通電阻和高電流能力提高電源效率,適合于各種電源模塊和適配器中。

2. **電動機驅(qū)動**: 該MOSFET非常適合用于電動機控制電路,能夠為無刷直流電動機和步進電動機提供可靠驅(qū)動,應(yīng)用于電動工具和家用電器中。

3. **LED驅(qū)動電路**: NTMS7N03R2G-VB能夠高效驅(qū)動LED照明系統(tǒng),提供穩(wěn)定電流,適合商業(yè)照明和家居照明解決方案。

4. **通信設(shè)備**: 在無線通信設(shè)備的電源管理模塊中,該器件可以確保在高負載條件下的穩(wěn)定運行,適用于基站、路由器等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。

5. **電池管理系統(tǒng)**: NTMS7N03R2G-VB適用于電動汽車和便攜式電子設(shè)備的電池充放電管理,實現(xiàn)高效的電流控制和能量管理。

憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用潛力,**NTMS7N03R2G-VB** 是現(xiàn)代電子設(shè)計中不可或缺的解決方案。

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