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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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PHN103T-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): PHN103T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
PHN103T-VB是一款高效能的N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專(zhuān)為低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件基于Trench技術(shù),具有超低的導(dǎo)通電阻,能夠在高開(kāi)關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的性能。PHN103T-VB非常適合于各種電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,為設(shè)計(jì)工程師提供可靠的解決方案。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: PHN103T-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單N溝道
- **VDS(漏源電壓)**: 30V
- **VGS(柵源電壓)**: ±20V
- **Vth(柵閾值電壓)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **ID(漏電流)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
PHN103T-VB可廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,具體包括:

1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,該MOSFET由于其低導(dǎo)通電阻,有助于提高轉(zhuǎn)換效率,降低熱損耗,適用于高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)合。

2. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池充放電管理中,PHN103T-VB能夠高效地控制電流流動(dòng),確保系統(tǒng)的安全與穩(wěn)定,特別是在便攜式設(shè)備和電動(dòng)汽車(chē)中。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 該器件適合用于各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,如直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)控制,能夠快速開(kāi)關(guān),提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度和效率。

4. **LED驅(qū)動(dòng)電路**: PHN103T-VB可以有效控制LED燈的開(kāi)關(guān)和調(diào)光功能,確保LED在高效運(yùn)行下的穩(wěn)定性和長(zhǎng)壽命。

5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: 該MOSFET在手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品中被廣泛應(yīng)用,提供高效的電源管理和低功耗解決方案。

通過(guò)其卓越的性能和多樣化的應(yīng)用場(chǎng)景,PHN103T-VB為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)提供了強(qiáng)有力的支持。

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