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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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PHN110-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): PHN110-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
PHN110-VB是一款高效的N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專(zhuān)為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其優(yōu)越的導(dǎo)通電阻和快速的開(kāi)關(guān)特性使其在各類(lèi)電源管理和控制電路中表現(xiàn)出色,適用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)電子等領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:PHN110-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:30V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 11mΩ(@VGS=4.5V)
 - 8mΩ(@VGS=10V)
- **最大漏極電流(ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理**:PHN110-VB廣泛用于開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,能夠提供高效的電流控制,降低能量損耗,提高系統(tǒng)的整體能效,尤其在小型電子設(shè)備中表現(xiàn)突出。

2. **DC-DC變換器**:在DC-DC變換器應(yīng)用中,該MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)頻率,有助于實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換,適合各種電池供電的設(shè)備和充電器。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:由于其高電流承載能力,PHN110-VB適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,可以提供快速響應(yīng),支持高效的電動(dòng)機(jī)控制,廣泛應(yīng)用于家電和自動(dòng)化設(shè)備中。

4. **LED驅(qū)動(dòng)**:該器件也適合用于LED驅(qū)動(dòng)電路,能夠穩(wěn)定地控制LED的電流,從而提高照明系統(tǒng)的效率和可靠性,適用于照明和顯示應(yīng)用。

通過(guò)這些應(yīng)用,PHN110-VB在各類(lèi)電子設(shè)備中展現(xiàn)出優(yōu)異的性能和可靠性,是實(shí)現(xiàn)高效能電源管理的理想選擇。

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