--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:RES100N03-VB
RES100N03-VB是一款高效能N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,具有30V的漏極源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V時為11mΩ,而在VGS為10V時則為8mΩ。最大漏電流(ID)可達13A。該器件采用Trench技術(shù),專為低電壓應(yīng)用設(shè)計,能夠在小尺寸電路中實現(xiàn)高效的開關(guān)性能。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: RES100N03-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單極N溝道
- **漏極源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ(在VGS=4.5V時)
- 8mΩ(在VGS=10V時)
- **最大漏電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
RES100N03-VB適用于多個應(yīng)用領(lǐng)域,以下是一些典型示例:
1. **開關(guān)電源**: 由于其低導(dǎo)通電阻和適中的VDS,RES100N03-VB非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源,能夠顯著提高系統(tǒng)的能效,減少熱量產(chǎn)生。
2. **電動機控制**: 在小型電機驅(qū)動應(yīng)用中,該MOSFET可以作為高效開關(guān),廣泛用于家電、電動工具和工業(yè)自動化設(shè)備。
3. **LED驅(qū)動**: RES100N03-VB在LED照明系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電流控制,確保LED的最佳性能和延長其使用壽命。
4. **電源管理模塊**: 該器件可用于蓄電池管理系統(tǒng),幫助監(jiān)控和控制電壓及電流,提高電源管理的可靠性。
5. **便攜式電子設(shè)備**: 由于其小巧的SOP8封裝,RES100N03-VB非常適合用于各種便攜式電子設(shè)備的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。
通過這些應(yīng)用,RES100N03-VB為低電壓電源和開關(guān)解決方案提供了理想的性能,廣泛滿足了多個行業(yè)的需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12