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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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RRS090N03-TB-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: RRS090N03-TB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RRS090N03-TB-VB 產(chǎn)品簡介

RRS090N03-TB-VB 是一款高效能的 N-通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為低電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計。該器件具有高達 30V 的漏極源電壓 (VDS) 和最大漏極電流 (ID) 為 13A,適合多種電源管理和開關(guān)電路。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 4.5V 時為 11mΩ,而在 VGS 為 10V 時降低至 8mΩ,提供優(yōu)越的電流傳導(dǎo)能力并顯著降低功耗。通過先進的 Trench 技術(shù)制造,RRS090N03-TB-VB 在開關(guān)頻率和整體效率方面表現(xiàn)出色,廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:RRS090N03-TB-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:單 N-通道
- **VDS (漏極源電壓)**:30V
- **VGS (柵源電壓)**:±20V
- **Vth (閾值電壓)**:1.7V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**:
 - 11mΩ @ VGS=4.5V
 - 8mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**:13A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

RRS090N03-TB-VB 在多個領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用:

1. **開關(guān)電源**:在開關(guān)電源 (SMPS) 中,該 MOSFET 可作為開關(guān)元件,優(yōu)化電源的效率和穩(wěn)定性,適用于消費電子和工業(yè)電源設(shè)備。

2. **電池管理系統(tǒng)**:用于電池充放電管理,提供高效的電流控制,確保電池的性能與安全,特別適合電動工具和電動車輛。

3. **電動機驅(qū)動**:作為電動機控制電路中的開關(guān)元件,RQW090N03-TB-VB 可以實現(xiàn)精確的電動機啟動和調(diào)速,廣泛應(yīng)用于家電和工業(yè)自動化設(shè)備。

4. **照明控制**:在LED驅(qū)動和照明控制電路中,該器件能夠提供高效的開關(guān)控制,改善照明系統(tǒng)的能效和可靠性。

5. **消費電子**:適用于各種消費電子產(chǎn)品中,如智能手機、平板電腦等,作為電源管理解決方案的一部分,提高設(shè)備的整體性能和續(xù)航能力。

通過這些應(yīng)用,RRS090N03-TB-VB 提供了高效、可靠的解決方案,以滿足多種低電壓和中等電流需求的電子系統(tǒng)。

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