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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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RRS130N03-TB-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: RRS130N03-TB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RRS130N03-TB-VB 產(chǎn)品簡介

RRS130N03-TB-VB 是一款高效能的單N通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有30V的最大漏極-源電壓和13A的最大漏極電流能力,展現(xiàn)出卓越的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。這使得 RRS130N03-TB-VB 在電源管理、高頻開關(guān)和其他電子設(shè)計(jì)中具有廣泛應(yīng)用,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: RRS130N03-TB-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單N通道
- **最大漏極-源電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵極-源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**: RRS130N03-TB-VB 常用于高效的電源轉(zhuǎn)換器和調(diào)節(jié)電路中,能夠有效提升能量轉(zhuǎn)換效率,減少功率損耗,適合開關(guān)電源和電池管理系統(tǒng)。

2. **電動機(jī)驅(qū)動**: 在電動機(jī)控制應(yīng)用中,該 MOSFET 能夠提供快速的開關(guān)響應(yīng)和精確的電流控制,廣泛應(yīng)用于電動工具和自動化設(shè)備。

3. **LED驅(qū)動電路**: RRS130N03-TB-VB 在LED照明應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,可作為開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效的電流控制,提升LED的亮度和效率。

4. **便攜式設(shè)備**: 在智能手機(jī)、平板電腦等便攜式電子產(chǎn)品中,該器件可用于電源管理模塊,幫助延長電池續(xù)航時間,提高設(shè)備的整體性能。

5. **通信設(shè)備**: 該MOSFET可用于各種通信設(shè)備的電源管理模塊,提供穩(wěn)定的開關(guān)功能,確保設(shè)備在高負(fù)載下的可靠運(yùn)行。

通過這些應(yīng)用示例,RRS130N03-TB-VB 展示了其在低電壓電力電子領(lǐng)域的廣泛適用性和重要性。

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