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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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RRS150N03-TB-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): RRS150N03-TB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RRS150N03-TB-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

RRS150N03-TB-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為低電壓和高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的漏極源電壓(VDS)可達(dá)到 30V,支持 ±20V 的柵極源電壓(VGS)。其柵閾值電壓(Vth)為 1.7V,確保在較低的柵電壓下也能穩(wěn)定開啟。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時(shí)為 11mΩ,在 VGS=10V 時(shí)為 8mΩ,最大漏極電流(ID)為 13A。RRS150N03-TB-VB 采用 Trench 技術(shù),具備卓越的電氣性能和熱管理能力,適合用于各種電子設(shè)備的設(shè)計(jì)需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: RRS150N03-TB-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單 N 通道
- **漏極源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 11mΩ @ VGS=4.5V
 - 8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

RRS150N03-TB-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用包括:

1. **電源管理**: 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中,RRS150N03-TB-VB 可用于高效電能轉(zhuǎn)換,優(yōu)化設(shè)備的能量使用,廣泛適用于消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備。
2. **LED 驅(qū)動(dòng)**: 在 LED 照明系統(tǒng)中,該 MOSFET 可穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng) LED,確保其亮度和使用壽命,適合商業(yè)照明和家居應(yīng)用。
3. **電機(jī)控制**: RRS150N03-TB-VB 可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,支持各種小型電機(jī)的高效開關(guān)控制,適合家電和自動(dòng)化設(shè)備。
4. **信號(hào)開關(guān)**: 作為高效的信號(hào)切換元件,該 MOSFET 可用于音頻、視頻及數(shù)據(jù)傳輸設(shè)備中,確保信號(hào)的完整性和質(zhì)量。
5. **便攜設(shè)備**: 在電池供電的移動(dòng)設(shè)備中,RRS150N03-TB-VB 可作為負(fù)載開關(guān),幫助提升整體能效,實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的電源管理。

憑借其卓越的電氣性能和緊湊的設(shè)計(jì),RRS150N03-TB-VB 是現(xiàn)代高效電子設(shè)備中的理想選擇,能夠滿足多種應(yīng)用需求。

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