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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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RSH065N03TB-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: RSH065N03TB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RSH065N03TB-VB 產(chǎn)品簡介

RSH065N03TB-VB是一款高性能N通道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計。該器件的漏源電壓(VDS)為30V,能夠承載最大漏電流(ID)達到13A。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵源電壓(VGS)為4.5V時為11mΩ,而在10V時更低至8mΩ,這使得該MOSFET在高負載情況下展現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)通性能,從而減少功耗和熱量產(chǎn)生。RSH065N03TB-VB采用先進的Trench技術(shù),具備良好的開關(guān)特性,適合多種電子設(shè)備和系統(tǒng)。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:RSH065N03TB-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:單N通道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:11mΩ@VGS=4.5V;8mΩ@VGS=10V
- **漏電流(ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench

### 適用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理**:RSH065N03TB-VB在電源管理系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用,特別是在DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其低導(dǎo)通損耗特性能夠顯著提高電源效率,并降低系統(tǒng)的熱損耗,確保長時間穩(wěn)定運行。

2. **電動機驅(qū)動**:該MOSFET可用于電動機控制應(yīng)用,能夠提供穩(wěn)定且高效的電流輸出,確保電動機在各種負載條件下的可靠運行,廣泛適用于工業(yè)自動化、家用電器和電動工具等領(lǐng)域。

3. **負載開關(guān)**:在負載開關(guān)應(yīng)用中,RSH065N03TB-VB的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合在便攜式電子設(shè)備和消費類電子產(chǎn)品中,實現(xiàn)高效的電源開關(guān)和管理。

4. **LED驅(qū)動**:在LED照明領(lǐng)域,該器件能夠有效驅(qū)動高功率LED燈具,其快速開關(guān)特性和低功耗特性有助于提升LED的亮度和延長使用壽命,適合各種照明應(yīng)用。

綜上所述,RSH065N03TB-VB MOSFET憑借其卓越的性能和廣泛的適用性,成為低電壓和高電流應(yīng)用中的理想選擇。

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