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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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RSH100N03TB-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): RSH100N03TB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RSH100N03TB-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

RSH100N03TB-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET,采用 SOP8 封裝,設(shè)計(jì)用于低壓應(yīng)用,具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))。其最大漏源電壓(VDS)為 30V,支持高達(dá) 13A 的漏電流,非常適合用于各種電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件具備優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和低功耗特性,能夠顯著提升系統(tǒng)效率,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子和汽車電子領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:RSH100N03TB-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **VDS**(漏源電壓):30V
- **VGS**(柵源電壓):±20V
- **Vth**(門(mén)檻電壓):1.7V
- **RDS(ON)**(導(dǎo)通電阻):11mΩ @ VGS=4.5V  
 **RDS(ON)**(導(dǎo)通電阻):8mΩ @ VGS=10V
- **ID**(漏電流):13A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

RSH100N03TB-VB 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中均具有重要應(yīng)用:

1. **開(kāi)關(guān)電源**:在開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,RSH100N03TB-VB 可用于高效電能轉(zhuǎn)換,降低損耗,適合各種電子設(shè)備的電源適配器和充電器。

2. **LED驅(qū)動(dòng)**:該 MOSFET 可用于 LED 照明電路,提供穩(wěn)定的電流輸出,確保 LED 的亮度和使用壽命,適用于家庭和商業(yè)照明系統(tǒng)。

3. **電池管理**:在電池管理系統(tǒng)中,RSH100N03TB-VB 可用作開(kāi)關(guān)元件,有助于提高電池充放電的效率,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)車和便攜式電子設(shè)備。

4. **電動(dòng)機(jī)控制**:在小型電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該器件能夠提供高效電流控制,適合家電和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備,提升電機(jī)的運(yùn)行效率。

5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:RSH100N03TB-VB 也可用于智能手機(jī)、平板電腦及其他便攜式設(shè)備的電源管理,優(yōu)化電源使用,降低待機(jī)功耗。

這些應(yīng)用示例展示了 RSH100N03TB-VB 在現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)中的重要性,特別是在低壓和高效能系統(tǒng)中的廣泛適用性。

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