--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
RSH110N03TB-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專(zhuān)為低電壓和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 可達(dá) 30V,適合用于多種電子設(shè)備中。其最大柵源電壓 (VGS) 為 ±20V,提供了良好的工作穩(wěn)定性。RDS(ON) 在 VGS=4.5V 時(shí)為 11mΩ,在 VGS=10V 時(shí)為 8mΩ,確保低導(dǎo)通損耗和高效率,適用于需要高電流的應(yīng)用場(chǎng)合,最大漏電流 (ID) 可達(dá) 13A。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**:RSH110N03TB-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:Single-N-Channel
- **VDS**:30V
- **VGS**:±20V
- **Vth**:1.7V
- **RDS(ON)**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **ID**:13A
- **技術(shù)**:Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:
RSH110N03TB-VB 可廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,幫助提高轉(zhuǎn)換效率,降低功耗,適合于電源管理和電池供電設(shè)備。
2. **電動(dòng)工具**:
在電動(dòng)工具中,該 MOSFET 可以用作開(kāi)關(guān)控制,提供快速響應(yīng)的電流控制,確保工具在高負(fù)載條件下的高效運(yùn)行。
3. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**:
適用于 LED 照明產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng),能夠確保電流的穩(wěn)定性,提高 LED 的亮度和使用壽命,尤其在照明和指示燈中表現(xiàn)出色。
4. **家用電器**:
RSH110N03TB-VB 也適合用于小型家電,如風(fēng)扇、冰箱等的電源管理,實(shí)現(xiàn)高效的功率控制和穩(wěn)定的工作性能。
憑借其優(yōu)越的電氣特性和廣泛的應(yīng)用適應(yīng)性,RSH110N03TB-VB 是現(xiàn)代電子設(shè)備中理想的 MOSFET 選擇,能夠滿足多種低電壓應(yīng)用的需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛