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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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RU2013H-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: RU2013H-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
RU2013H-VB是一款高效能單極N型MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為30V,能夠承受高達13A的漏電流,適合多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為1.7V,確保其在較低柵源電壓下可可靠開啟。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V和10V時分別為11mΩ和8mΩ,提供極低的功耗,使其在高性能電子設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)越。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:RU2013H-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:單極N型
- **最大漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流(ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
RU2013H-VB MOSFET在多個領(lǐng)域和模塊中有廣泛應(yīng)用,具體包括:

1. **電源管理**:在開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET可用作高效的開關(guān)元件,適合用于計算機、電視等消費電子的電源供應(yīng)。

2. **電動機控制**:該MOSFET在電動機驅(qū)動電路中具有優(yōu)秀的性能,能夠處理高電流,廣泛應(yīng)用于電動工具、風(fēng)扇和家用電器等。

3. **LED驅(qū)動**:RU2013H-VB在LED照明中可作為驅(qū)動器,通過高效開關(guān)控制實現(xiàn)對LED的亮度調(diào)節(jié),適用于商業(yè)和家庭照明解決方案。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在鋰電池的充放電控制電路中,該MOSFET能夠有效地管理電流,確保電池的安全高效運行,適合便攜式設(shè)備和儲能系統(tǒng)。

5. **音頻放大器**:RU2013H-VB也可以作為音頻放大器的輸出級元件,能夠處理高電流輸出,提升音頻信號的質(zhì)量,廣泛應(yīng)用于音響設(shè)備和家庭影院系統(tǒng)。

通過這些應(yīng)用示例,RU2013H-VB在現(xiàn)代電子設(shè)備中的重要性得以體現(xiàn),特別是在高效能和高可靠性要求的場合。

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