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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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RXH125N03TB-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): RXH125N03TB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介**  
RXH125N03TB-VB 是一款采用 SOP8 封裝的單極 N 通道 MOSFET,具有 30V 的漏源電壓 (VDS) 和 13A 的最大漏電流 (ID)。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻非常低,在 VGS=4.5V 時(shí)為 11mΩ,VGS=10V 時(shí)為 8mΩ,能夠提供高效的電流傳輸,適用于低電壓、高頻開關(guān)應(yīng)用。通過采用 Trench 技術(shù),它不僅具有低導(dǎo)通損耗,還具有較好的開關(guān)性能,適合廣泛的電源管理和負(fù)載驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),尤其是在需要低功耗和高效能的小型電子產(chǎn)品中。

**詳細(xì)參數(shù)說明**  
- **封裝**:SOP8  
- **配置**:?jiǎn)螛O N 通道  
- **漏源電壓 (VDS)**:30V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 11mΩ @ VGS=4.5V  
 - 8mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏電流 (ID)**:13A  
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)  

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**  
RXH125N03TB-VB 適用于各種低電壓、高效能的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。在**便攜式電子設(shè)備**中,尤其是移動(dòng)電源、數(shù)碼相機(jī)和便攜式音響等,它能夠提供高效的電池電源管理和功率轉(zhuǎn)換,確保長(zhǎng)時(shí)間的高效運(yùn)行。它也常用于**低壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**,特別是在 5V 或 12V 電壓輸入的轉(zhuǎn)換場(chǎng)合,提供高效的電流開關(guān),降低能量損耗。在**LED 驅(qū)動(dòng)電源**中,這款 MOSFET 的低 RDS(ON) 特性能夠有效減少功率損耗,延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。此外,它也適用于**小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**和**電池充放電管理**,為這些系統(tǒng)提供穩(wěn)定的開關(guān)控制,確保系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性。

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