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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI4668DY-T1-GE3-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: SI4668DY-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### **SI4668DY-T1-GE3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**

SI4668DY-T1-GE3-VB 是一款采用 **SOP8** 封裝的 **單 N 溝道 MOSFET**,具有較高的開關性能和低導通電阻,非常適合高效電源管理和電流控制應用。該型號具有 **VDS(漏源電壓)為 30V** 和 **最大漏電流(ID)為 13A**,使其在高效電源轉換和開關電源設計中表現(xiàn)卓越。其 **VGS(柵源電壓)** 為 **±20V**,閾值電壓 **Vth** 為 1.7V,能夠提供快速的開關響應。

**SI4668DY-T1-GE3-VB** 的導通電阻非常低,在 **VGS = 4.5V** 時為 **11mΩ**,在 **VGS = 10V** 時為 **8mΩ**,確保在高電流條件下具有極低的功率損耗,適用于需要高效率的電源轉換和驅動應用。其采用 **Trench 技術**,進一步優(yōu)化了開關速度和熱管理性能,使其在小型化、低功耗設計中廣泛應用。

### **詳細參數(shù)說明**

| **參數(shù)**                | **值**                                          |
|-------------------------|-------------------------------------------------|
| **封裝**                | SOP8                                            |
| **配置**                | 單 N 溝道                                        |
| **漏源電壓 (VDS)**       | 30V                                             |
| **柵源電壓 (VGS)**       | ±20V                                            |
| **閾值電壓 (Vth)**       | 1.7V                                            |
| **導通電阻 (RDS(ON))**    | 11mΩ @ VGS=4.5V;8mΩ @ VGS=10V                   |
| **最大漏電流 (ID)**      | 13A                                             |
| **技術**                | Trench 技術                                      |

### **應用領域與模塊舉例**

**1. 電源管理系統(tǒng)**
- **DC-DC 轉換器**:SI4668DY-T1-GE3-VB 由于其低導通電阻和高電流承載能力,非常適合用在 **DC-DC 轉換器** 中,特別是用于電池供電設備中。它可以減少功率損失,提高轉換效率,適用于便攜式設備、計算機電源和高效能電源模塊等。
- **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:該 MOSFET 的高效能和低導通電阻,使其在電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別是在 **電動工具** 和 **電動汽車** 等應用中,能夠有效提高充電和放電效率,延長電池壽命。

**2. 電動機控制**
- **電動工具驅動**:MOSFET 可用于 **電動工具** 的電動機驅動系統(tǒng)中,通過降低導通電阻減少能量損失和熱量產(chǎn)生,增強電動機控制的精度和效率,適合在高功率電動工具中使用。
- **電動交通工具**:SI4668DY-T1-GE3-VB 在 **電動交通工具**(如電動自行車、電動摩托車)中能夠提供高效的電動機驅動,確保系統(tǒng)的電力輸出穩(wěn)定且節(jié)能。

**3. 高頻開關電源**
- **同步整流電源**:該 MOSFET 的低導通電阻使其成為 **同步整流電源** 的理想選擇。其能有效降低開關損耗,提高轉換效率,廣泛用于 **計算機電源**、**UPS 系統(tǒng)** 和 **工業(yè)設備電源** 等高效電源模塊中。
- **LED 驅動電源**:在 **LED 驅動電源** 中,SI4668DY-T1-GE3-VB 提供低損耗的電源轉換,能夠提升系統(tǒng)的能效,適用于各種 **照明**、**顯示屏** 和 **智能家居** 系統(tǒng)。

**4. 便攜式設備**
- **智能手機與便攜式電子設備**:由于其低導通電阻,SI4668DY-T1-GE3-VB 在 **智能手機** 和 **便攜式電子設備** 中表現(xiàn)卓越,能夠延長電池使用時間,減少能量浪費。它還適用于 **無線耳機**、**智能手表** 等可穿戴設備的電池管理系統(tǒng)。
- **移動電源**:該 MOSFET 在 **移動電源**(如便攜式充電寶)中應用廣泛,能夠提高充電效率,支持快速充電功能,確保設備快速恢復電量。

**5. 無線通信**
- **無線設備**:SI4668DY-T1-GE3-VB 的快速開關性能和低導通電阻使其適用于各種 **無線通信設備** 中,包括 **藍牙設備**、**Wi-Fi 路由器** 和 **智能家居設備**,提供高效的功率管理和能量轉換。

**6. 高效電源模塊**
- **高效電源模塊**:由于其超低導通電阻,SI4668DY-T1-GE3-VB 可用于各種高效電源模塊中,如 **AC-DC 轉換器**、**DC-DC 轉換器** 和 **電壓調節(jié)模塊**,幫助提高系統(tǒng)效率,減少能源消耗,適用于 **消費電子**、**汽車電子** 和 **工業(yè)自動化** 等應用。

### **總結**

SI4668DY-T1-GE3-VB 是一款高效的 **單 N 溝道 MOSFET**,采用 **SOP8 封裝**,具有 **低導通電阻(RDS(ON) = 8mΩ)** 和 **高電流承載能力(13A)**,非常適用于高效電源管理、電動機驅動、電池管理以及高效電源模塊等應用。其采用 **Trench 技術**,提供優(yōu)異的開關性能和低功率損耗,廣泛應用于 **DC-DC 轉換器**、**電池管理系統(tǒng)**、**同步整流電源**、**便攜式設備** 和 **無線通信設備** 中,能有效提高系統(tǒng)的能效和穩(wěn)定性。

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