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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI4688DY-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): SI4688DY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### SI4688DY-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

SI4688DY-VB 是一款采用 SOP8 封裝的單 N 通道 MOSFET,專(zhuān)為高效電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)為 ±20V,具備高效的開(kāi)關(guān)性能,能夠支持較大的電流處理能力,最大漏極電流可達(dá) 13A。其低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時(shí)為 11mΩ,在 VGS=10V 時(shí)為 8mΩ,能夠有效降低功率損耗,提高電能傳輸效率。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),適用于電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

### SI4688DY-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)                     | 說(shuō)明                                                |
|--------------------------|-----------------------------------------------------|
| **封裝**                 | SOP8                                                |
| **配置**                 | 單 N 通道 MOSFET(Single-N-Channel)                 |
| **漏源電壓(VDS)**       | 30V                                                 |
| **柵源電壓(VGS)**       | ±20V                                                |
| **開(kāi)啟電壓(Vth)**       | 1.7V                                                |
| **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**   | 11mΩ(VGS=4.5V);8mΩ(VGS=10V)                     |
| **漏極電流(ID)**        | 13A                                                 |
| **技術(shù)**                 | Trench 技術(shù)                                          |
| **工作溫度范圍**          | -55°C 到 +150°C                                     |
| **最大功率損耗**          | 30W                                                 |
| **應(yīng)用方向**             | 電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理等          |

### SI4688DY-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源管理與負(fù)載開(kāi)關(guān)**
  SI4688DY-VB MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。在智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品中,SI4688DY-VB 可以實(shí)現(xiàn)高效的電池管理系統(tǒng)。通過(guò)優(yōu)化電源開(kāi)關(guān)和控制,能夠延長(zhǎng)電池續(xù)航并提升設(shè)備的整體性能。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**
  在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,SI4688DY-VB MOSFET 可幫助實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換,降低功率損耗。憑借其優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能,適用于多種類(lèi)型的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如將 5V 轉(zhuǎn)換為 12V 或 24V,廣泛應(yīng)用于智能電源、LED 驅(qū)動(dòng)器、電池充電器等領(lǐng)域。

3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
  SI4688DY-VB 的高效能使其成為電池管理系統(tǒng)中的理想選擇。它在電池的充電、放電及保護(hù)環(huán)節(jié)中起到關(guān)鍵作用。能夠高效調(diào)節(jié)電流,并確保電池的安全和長(zhǎng)壽命。它在電動(dòng)汽車(chē)(EV)電池管理、電動(dòng)工具及其他移動(dòng)電源設(shè)備中表現(xiàn)出色。

4. **消費(fèi)電子設(shè)備**
  SI4688DY-VB 還可應(yīng)用于各類(lèi)消費(fèi)電子設(shè)備中,如無(wú)線耳機(jī)、智能家居設(shè)備、便攜式音響等。在這些產(chǎn)品的電源管理模塊中,該 MOSFET 能夠?qū)崿F(xiàn)更高的能效,提升電池續(xù)航,并減少功耗,優(yōu)化整體性能。

5. **工業(yè)應(yīng)用與電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**
  在工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和電動(dòng)工具中,SI4688DY-VB MOSFET 也發(fā)揮著重要作用。它能夠優(yōu)化電流控制,提高電動(dòng)工具和家電的效率,降低能耗。在電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,SI4688DY-VB 幫助實(shí)現(xiàn)精確的電能調(diào)度,提高電動(dòng)工具、機(jī)器人以及電動(dòng)汽車(chē)的運(yùn)行效率。

6. **電動(dòng)汽車(chē)與可再生能源**
  SI4688DY-VB 在電動(dòng)汽車(chē)(EV)電池管理系統(tǒng)、充電器和逆變器中也有廣泛應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻特性能夠最大化電池的充電效率,并幫助提升電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程。此外,該 MOSFET 還適用于可再生能源系統(tǒng),如太陽(yáng)能逆變器、電池儲(chǔ)能系統(tǒng)等,在能源轉(zhuǎn)換和管理中發(fā)揮重要作用。

### 總結(jié)

SI4688DY-VB 是一款高效的單 N 通道 MOSFET,適用于電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理以及消費(fèi)電子、工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)汽車(chē)等多種應(yīng)用領(lǐng)域。憑借其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,該 MOSFET 能夠提高系統(tǒng)的能效,減少功率損耗,延長(zhǎng)設(shè)備壽命,并優(yōu)化整體性能,是現(xiàn)代高效電能管理和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的理想選擇。

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