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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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Si4714DY-T1-GE3-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): Si4714DY-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:Si4714DY-T1-GE3-VB

Si4714DY-T1-GE3-VB 是一款高效能單N通道MOSFET,采用SOP8封裝,具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能。該器件的最大漏源電壓(VDS)為30V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,采用Trench技術(shù),能夠提供低功耗、高效率的開關(guān)特性。Si4714DY-T1-GE3-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時(shí)為11mΩ,在VGS=10V時(shí)為8mΩ,能夠承載最大漏電流(ID)為13A。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其適用于要求高效率和低功耗的各類電源管理和開關(guān)電路。Si4714DY-T1-GE3-VB廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、電池管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)以及其他高效開關(guān)系統(tǒng)中,幫助提升系統(tǒng)整體性能并減少熱量損耗。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單N通道MOSFET
- **最大漏源電壓 (VDS)**:30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵源開啟電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS=4.5V
 - 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:13A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)
- **適用溫度范圍**:通常為-55°C 到 +150°C(具體溫度范圍請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè))
- **最大功率耗散**:請(qǐng)參考詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊(cè)中的額定值。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:

1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  Si4714DY-T1-GE3-VB 的低導(dǎo)通電阻使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換器中理想的開關(guān)元件。其優(yōu)異的開關(guān)特性使其能夠提高轉(zhuǎn)換效率,降低功率損耗,特別適用于降壓(Buck)和升壓(Boost)轉(zhuǎn)換器。應(yīng)用場(chǎng)景包括電源適配器、LED驅(qū)動(dòng)器、電池管理系統(tǒng)(BMS)和消費(fèi)電子產(chǎn)品等。

2. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:
  在電池管理系統(tǒng)中,Si4714DY-T1-GE3-VB 可用于控制電池充放電過程,確保高效、穩(wěn)定的能量傳輸。其低RDS(ON)特性能夠顯著減少電池內(nèi)阻和功率損失,特別適合在電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車、電池儲(chǔ)能設(shè)備等需要高效電池管理的應(yīng)用中使用。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  該MOSFET具有優(yōu)異的電流處理能力,可以在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)中使用。其低導(dǎo)通電阻和高電流容量使其在電機(jī)啟動(dòng)、控制和反轉(zhuǎn)等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。在家電、自動(dòng)化設(shè)備、電動(dòng)工具以及機(jī)器人技術(shù)中,Si4714DY-T1-GE3-VB 可以有效提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的整體效率。

4. **負(fù)載開關(guān)**:
  由于其低RDS(ON)和高開關(guān)性能,Si4714DY-T1-GE3-VB 可作為高效負(fù)載開關(guān),廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、智能家居設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)產(chǎn)品中。在這些應(yīng)用中,它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的快速開關(guān)控制,同時(shí)保持低功耗和高效運(yùn)行。

5. **電源管理系統(tǒng)**:
  作為電源管理系統(tǒng)中的開關(guān)元件,Si4714DY-T1-GE3-VB 提供了出色的開關(guān)特性,能夠在電源調(diào)節(jié)和管理中減少功率損耗。它在電源適配器、無線充電設(shè)備、UPS電源等應(yīng)用中廣泛使用,通過降低功耗來提高系統(tǒng)的能效,適應(yīng)各種低功耗高效能需求。

6. **智能家居與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備**:
  Si4714DY-T1-GE3-VB 可用于智能家居和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中,尤其是在電源控制和能量管理系統(tǒng)中。它能夠在智能燈光控制、無線傳感器網(wǎng)絡(luò)、電動(dòng)窗簾等智能家居系統(tǒng)中發(fā)揮作用,通過高效的電流開關(guān)來延長設(shè)備的電池壽命,提升設(shè)備的整體能效。

7. **汽車電子**:
  在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)中,Si4714DY-T1-GE3-VB 可用于電池管理、電源轉(zhuǎn)換以及電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)。由于其低RDS(ON)特性和高電流處理能力,它能夠優(yōu)化電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)的效率,減少熱量損失,提升能源使用效率,適合用于汽車電池、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等高功率應(yīng)用。

### 總結(jié):

Si4714DY-T1-GE3-VB 是一款高效、低功耗的單N通道MOSFET,適用于電池管理、電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。其低RDS(ON)特性使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時(shí)具有高效的開關(guān)性能,能夠有效減少功率損耗,提升系統(tǒng)整體效率。無論是在消費(fèi)電子、電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車還是智能家居領(lǐng)域,Si4714DY-T1-GE3-VB 都能為現(xiàn)代電源管理系統(tǒng)提供可靠、高效的解決方案。

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