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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI4820DY-T1-E3-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: SI4820DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### SI4820DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

SI4820DY-T1-E3-VB 是一款單 N 通道 MOSFET,封裝為 SOP8,專為低功耗應(yīng)用設(shè)計。它具備 30V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS),非常適合用于電源管理、負載開關(guān)和其他中低電壓系統(tǒng)中。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)): 11mΩ(VGS = 4.5V)和 8mΩ(VGS = 10V),確保了低功率損耗和高效的電流傳輸。其最大漏極電流為 13A,適合應(yīng)用于高效開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)等電力管理模塊。通過優(yōu)化設(shè)計,SI4820DY-T1-E3-VB 能夠在各種環(huán)境條件下提供可靠的性能,并廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)自動化、通信設(shè)備等領(lǐng)域。

### SI4820DY-T1-E3-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

| **參數(shù)**                | **說明**                                            |
|-------------------------|-----------------------------------------------------|
| **封裝**                | SOP8                                                |
| **配置**                | 單 N 通道 MOSFET(Single-N-Channel)                |
| **漏源電壓(VDS)**      | 30V                                                 |
| **柵源電壓(VGS)**      | ±20V                                                |
| **開啟電壓(Vth)**      | 1.7V                                                |
| **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**  | 11mΩ(VGS=4.5V);8mΩ(VGS=10V)                    |
| **漏極電流(ID)**       | 13A                                                 |
| **最大功率損耗**         | 30W                                                 |
| **工作溫度范圍**         | -55°C 到 +150°C                                     |
| **技術(shù)**                | Trench 技術(shù)                                          |
| **應(yīng)用方向**            | 電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、汽車電源等      |

### SI4820DY-T1-E3-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**
  SI4820DY-T1-E3-VB 適用于低壓電源管理系統(tǒng),特別是手機、平板電腦、LED 驅(qū)動電源等消費電子設(shè)備中的電源管理模塊。在這些應(yīng)用中,它通過高效的電流開關(guān)和低導(dǎo)通電阻來減少能量損失,從而提高電池的使用時間和設(shè)備的電能效率。該 MOSFET 適合用于高效轉(zhuǎn)換和保護電路中,優(yōu)化系統(tǒng)的能效表現(xiàn)。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**
  由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,SI4820DY-T1-E3-VB 非常適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠高效地將輸入電壓轉(zhuǎn)換為所需的穩(wěn)定輸出電壓,廣泛應(yīng)用于便攜式電池供電設(shè)備、電源適配器、USB 電源等應(yīng)用中。其高效的電流開關(guān)和低熱量輸出特性可以確保轉(zhuǎn)換器在較高負載下穩(wěn)定運行。

3. **負載開關(guān)**
  在負載開關(guān)應(yīng)用中,SI4820DY-T1-E3-VB 的低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性使其能夠有效控制高電流的開關(guān),適用于負載控制模塊。在嵌入式設(shè)備、電動工具、家電等設(shè)備中,作為開關(guān)元件,SI4820DY-T1-E3-VB 能夠確保系統(tǒng)高效、穩(wěn)定的開關(guān)控制功能,同時減少系統(tǒng)功率損耗。

4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
  SI4820DY-T1-E3-VB 在電池管理系統(tǒng)(BMS)中也有廣泛應(yīng)用,尤其是在電動工具、電動自行車、電動汽車等充電系統(tǒng)中。它可以幫助高效地管理電池的充電和放電過程,優(yōu)化電池性能,延長電池使用壽命。此外,作為電池保護電路的一部分,SI4820DY-T1-E3-VB 可以提供過電壓、過電流、短路等保護功能。

5. **汽車電源管理**
  在汽車電子系統(tǒng)中,SI4820DY-T1-E3-VB 主要用于電源轉(zhuǎn)換和電池管理應(yīng)用,尤其是用于電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和電力轉(zhuǎn)換單元。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其能夠高效地支持電池的充電/放電,提升電動汽車的動力系統(tǒng)效率和延長電池壽命。

6. **通信設(shè)備**
  在通信設(shè)備中,SI4820DY-T1-E3-VB 用作電源開關(guān)、穩(wěn)壓模塊和電源轉(zhuǎn)換器,幫助減少功率損耗并提高能效。尤其在無線通信、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和其他通信基礎(chǔ)設(shè)施中,該 MOSFET 可以有效管理電流并確保穩(wěn)定的電壓輸出,保障設(shè)備長期穩(wěn)定運行。

### 總結(jié)

SI4820DY-T1-E3-VB 是一款高效、低功耗、低導(dǎo)通電阻的單 N 通道 MOSFET,適用于廣泛的電源管理、電池管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)等應(yīng)用。其具有 30V 的漏源電壓和 13A 的最大漏極電流,能夠滿足低壓高效開關(guān)應(yīng)用中的需求,特別適合用于消費電子、汽車電源管理、通信設(shè)備以及工業(yè)自動化系統(tǒng)中。這款 MOSFET 憑借其高效率、低功耗特性,能夠顯著提高電子系統(tǒng)的能效,減少功率損耗,是現(xiàn)代電源管理系統(tǒng)中的理想選擇。

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