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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI4874DY-T1-E3-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): SI4874DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**SI4874DY-T1-E3-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 SOP8 封裝,適用于低電壓高效能的開關(guān)電路。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)制造,具有出色的導(dǎo)電性和低導(dǎo)通電阻,在 4.5V 和 10V 柵壓下分別為 11mΩ 和 8mΩ,能夠在高頻率和高負(fù)載條件下提供高效的電流傳導(dǎo)。最大漏源電壓(VDS)為 30V,最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,最大漏極電流(ID)為 13A,適合各種電源管理、開關(guān)電路以及其他小型電子設(shè)備的電流控制。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:SI4874DY-T1-E3-VB
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:?jiǎn)螛O N-Channel
- **VDS (漏極-源極電壓)**:30V
- **VGS (柵極-源極電壓)**:±20V
- **Vth (柵閾值電壓)**:1.7V
- **RDS(ON) 導(dǎo)通電阻**:
 - 4.5V 柵壓下:11mΩ
 - 10V 柵壓下:8mΩ
- **ID (最大漏極電流)**:13A
- **技術(shù)**:Trench(溝道工藝)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:在高效電源管理系統(tǒng)中,SI4874DY-T1-E3-VB 作為低導(dǎo)通電阻的 MOSFET,可以用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器等電源模塊。其低 RDS(ON) 確保了系統(tǒng)能夠高效轉(zhuǎn)換,減少能量損耗,特別適合用于高頻開關(guān)電源應(yīng)用。

2. **電池供電系統(tǒng)**:該 MOSFET 可用于電池充電管理和電池保護(hù)電路中,如用于便攜式設(shè)備的電池保護(hù)和電池管理系統(tǒng)(BMS)。低導(dǎo)通電阻有助于減少系統(tǒng)中的熱量,提高整體電池效率和續(xù)航能力。

3. **消費(fèi)電子**:適用于智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。SI4874DY-T1-E3-VB 的高效切換特性和低功耗性能使其能夠提升電池使用壽命,優(yōu)化電源效率。

4. **汽車電子**:在汽車電氣系統(tǒng)中,特別是在電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)和車載電源管理系統(tǒng)中,SI4874DY-T1-E3-VB 可用于高效開關(guān)和電壓轉(zhuǎn)換,確保高效穩(wěn)定的電流傳輸,提升整體車載系統(tǒng)的性能和可靠性。

5. **LED 驅(qū)動(dòng)器**:在 LED 驅(qū)動(dòng)電源模塊中,MOSFET 的低導(dǎo)通電阻使其特別適合用于高效、恒流的 LED 驅(qū)動(dòng)電路,提供穩(wěn)定的電流傳輸和降低熱損耗。

6. **電動(dòng)工具**:該 MOSFET 可應(yīng)用于電動(dòng)工具的電池管理和動(dòng)力控制系統(tǒng)中,保證高效的電流傳輸和低熱損耗,確保電動(dòng)工具的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

SI4874DY-T1-E3-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在需要高效能和低能量損耗的電源管理、開關(guān)電路等領(lǐng)域表現(xiàn)出色。其適用于各種消費(fèi)電子、汽車電子、電動(dòng)工具和電源模塊中的關(guān)鍵應(yīng)用。

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