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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI4884BDY-T1-E3-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): SI4884BDY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**  
SI4884BDY-T1-E3-VB 是一款高效能單N溝道MOSFET,封裝形式為SOP8,專為低電壓大電流開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品最大漏源電壓(VDS)為30V,最大漏極電流(ID)為13A,采用Trench技術(shù)工藝,能夠提供低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為8mΩ@VGS=10V,11mΩ@VGS=4.5V),顯著提升系統(tǒng)開關(guān)效率,降低電源轉(zhuǎn)換過程中的損耗。SI4884BDY-T1-E3-VB適用于電源管理、電池驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)控制等要求高效率和高可靠性的應(yīng)用。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**  
- **封裝形式:** SOP8  
- **配置:** 單N溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS):** 30V  
- **最大柵源電壓 (VGS):** ±20V  
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**  
 - 8mΩ@VGS=10V  
 - 11mΩ@VGS=4.5V  
- **最大漏極電流 (ID):** 13A  
- **技術(shù):** Trench工藝  
- **工作溫度范圍:** -55°C 至 +150°C  

**適用領(lǐng)域與模塊舉例:**

1. **電源管理系統(tǒng)**:  
  SI4884BDY-T1-E3-VB適用于電源轉(zhuǎn)換電路如DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC適配器等。由于其低RDS(ON)特性,該MOSFET能夠有效降低開關(guān)損耗,在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠提高電源的轉(zhuǎn)換效率并減少功率損失。它在高效能電源系統(tǒng)中為電子設(shè)備提供更加穩(wěn)定和高效的電力供應(yīng)。

2. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:  
  在電池管理系統(tǒng)中,尤其是在電動(dòng)工具、便攜式電子設(shè)備和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域,SI4884BDY-T1-E3-VB可用于高效的負(fù)載開關(guān)和電池電量管理。低導(dǎo)通電阻幫助在充電與放電過程中降低損耗,從而提高電池的工作效率和延長(zhǎng)使用壽命。

3. **負(fù)載開關(guān)應(yīng)用**:  
  該器件特別適合用于**負(fù)載開關(guān)**和**電流切換模塊**。在智能家居和工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,SI4884BDY-T1-E3-VB可用作開關(guān)控制器,應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)電路、電動(dòng)機(jī)控制、以及各種功率管理模塊中。通過其優(yōu)異的開關(guān)性能,可以控制各種負(fù)載,包括負(fù)載電流較高的設(shè)備,在保證效率的同時(shí),降低熱損耗。

4. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:  
  在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該MOSFET能夠高效地切換電流,適用于低電壓電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)。無論是用于家電、機(jī)器人系統(tǒng)還是其他工業(yè)設(shè)備,SI4884BDY-T1-E3-VB都可以提供精準(zhǔn)和高效的電流控制,確保電動(dòng)機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行并減少功率損耗。

5. **汽車電子**:  
  在汽車電子系統(tǒng)中,特別是**車載電源管理**和**動(dòng)力系統(tǒng)控制**,該MOSFET可以用于高效的電源開關(guān)、電池充電、和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。低導(dǎo)通電阻有助于減少熱量產(chǎn)生,提升系統(tǒng)的能效,延長(zhǎng)電池和其他電子組件的使用壽命。

總結(jié)來說,SI4884BDY-T1-E3-VB是一款高性能、低功耗的N溝道MOSFET,適用于電源管理、電池管理、負(fù)載開關(guān)、以及電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能、穩(wěn)定性和可靠性的要求。

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