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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI9428DY-T1-E3-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: SI9428DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號**:SI9428DY-T1-E3-VB  
**封裝**:SOP8  
**配置**:單極性N溝道MOSFET  
**最大漏極電壓(V_DS)**:30V  
**柵源電壓(V_GS)**:±20V  
**閾值電壓(V_th)**:1.7V  
**導(dǎo)通電阻(R_DS(on))**:
- 11mΩ@V_GS=4.5V  
- 8mΩ@V_GS=10V  
**最大漏極電流(I_D)**:13A  
**技術(shù)**:Trench技術(shù)

**概述**:SI9428DY-T1-E3-VB是一款高性能N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力。該器件可提供最大30V的漏極電壓,并可支持13A的漏極電流,適用于各種高效能電源管理和開關(guān)電路應(yīng)用。其低R_DS(on)特性使得在低柵源電壓下仍能實(shí)現(xiàn)高效的電流控制,適合用作DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和負(fù)載開關(guān)等電路中的關(guān)鍵元件。MOSFET的高性能使其在低壓、高效能的電力轉(zhuǎn)換中表現(xiàn)出色。

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### 詳細(xì)參數(shù)說明

1. **封裝類型**:SOP8(Small Outline Package, 8引腳封裝)
  - 小型封裝,適用于空間受限的應(yīng)用場合,具有較好的散熱性能。

2. **配置**:單極性N溝道
  - MOSFET為N溝道配置,適用于低端開關(guān)應(yīng)用。

3. **最大漏極電壓(V_DS)**:30V
  - 最大漏極電壓為30V,適合用于低電壓驅(qū)動的應(yīng)用場合,如電源管理和信號開關(guān)等。

4. **柵源電壓(V_GS)**:±20V
  - 該MOSFET可支持最大±20V的柵源電壓,適合高壓驅(qū)動應(yīng)用。

5. **閾值電壓(V_th)**:1.7V
  - 閾值電壓為1.7V,意味著當(dāng)柵源電壓超過1.7V時,MOSFET開始導(dǎo)通。

6. **導(dǎo)通電阻(R_DS(on))**:
  - **11mΩ @ V_GS=4.5V**  
  - **8mΩ @ V_GS=10V**  
  - MOSFET具有非常低的導(dǎo)通電阻,使得它在導(dǎo)通時的功率損耗較低,提升系統(tǒng)效率。

7. **最大漏極電流(I_D)**:13A
  - 最大漏極電流為13A,能夠承載較大的負(fù)載電流,適用于高功率電源和電力控制應(yīng)用。

8. **技術(shù)**:Trench技術(shù)
  - 采用Trench工藝,提供更低的導(dǎo)通電阻,提高效率和熱管理性能,支持高速開關(guān)操作。

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### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  - SI9428DY-T1-E3-VB適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,作為低端開關(guān)使用。其低R_DS(on)特性和較高的最大漏極電流使其能夠在高效的電壓轉(zhuǎn)換過程中發(fā)揮重要作用,減少功率損失,提升轉(zhuǎn)換效率。

2. **電源管理系統(tǒng)**:
  - 由于其較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,SI9428DY-T1-E3-VB特別適合用作電源管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵開關(guān)組件。例如在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,該MOSFET可以用來調(diào)節(jié)電流和電壓,從而確保電池充電的穩(wěn)定性和效率。

3. **開關(guān)電源(SMPS)**:
  - 在開關(guān)電源模塊中,SI9428DY-T1-E3-VB具有良好的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,能夠幫助降低功率損耗,增強(qiáng)系統(tǒng)的整體效率。特別是在低電壓和高頻操作的環(huán)境中,這款MOSFET能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。

4. **負(fù)載開關(guān)**:
  - 作為高效的負(fù)載開關(guān),SI9428DY-T1-E3-VB適用于需要快速、高效控制負(fù)載電流的應(yīng)用。由于其低導(dǎo)通電阻,它能夠顯著減少負(fù)載開關(guān)過程中的功率損耗,延長系統(tǒng)的使用壽命。

5. **消費(fèi)電子與便攜設(shè)備**:
  - 在消費(fèi)電子設(shè)備和便攜式電池驅(qū)動設(shè)備中,SI9428DY-T1-E3-VB適用于負(fù)載開關(guān)、電池管理、電壓轉(zhuǎn)換等應(yīng)用。其高效的電流控制和較低的導(dǎo)通電阻使其特別適用于智能手機(jī)、平板電腦等設(shè)備中的電源管理模塊。

6. **電動工具和工業(yè)控制**:
  - 電動工具和其他工業(yè)控制系統(tǒng)通常需要高效的電源開關(guān)。SI9428DY-T1-E3-VB可以在這些系統(tǒng)中用于電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換,保證高效的電源供應(yīng)和穩(wěn)定的操作。

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如果你對該型號有更多的具體應(yīng)用需求或需要進(jìn)一步的信息,歡迎隨時提問。

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