91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

SM4839NSKC-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: SM4839NSKC-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### SM4839NSKC-VB 產(chǎn)品簡介

SM4839NSKC-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為低壓、高電流應用設計。其主要特點包括低導通電阻(R_DS(on)),使得其具有較高的效率和較低的功耗,適用于需要高功率控制和快速開關響應的電力轉換和功率管理應用。該型號 MOSFET 的 V_DS 額定值為 30V,支持最大電流 13A,采用 Trench 技術,能夠在多個電壓范圍內(nèi)提供優(yōu)越的開關性能和可靠性。

### SM4839NSKC-VB 詳細參數(shù)說明

- **型號**:SM4839NSKC-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:單 N 通道
- **V_DS**:30V
- **V_GS**:±20V
- **V_th(閾值電壓)**:1.7V
- **R_DS(on)**: 
 - 11mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 8mΩ @ V_GS = 10V
- **I_D(最大漏極電流)**:13A
- **技術**:Trench 技術

### SM4839NSKC-VB 的應用領域與模塊

SM4839NSKC-VB 的低導通電阻和優(yōu)越的開關性能使其特別適合應用于高效的電源管理和電力轉換模塊。以下是該 MOSFET 典型應用領域的例子:

1. **電源供應與電壓轉換**:該 MOSFET 可廣泛應用于 DC-DC 轉換器、AC-DC 電源適配器和電池管理系統(tǒng)中,尤其是在需要低導通損耗的電源系統(tǒng)中。其低 R_DS(on) 和高 ID 使其能在較高的電流負載下工作,提升系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動工具與便攜式設備**:在電動工具、便攜式電池供電設備等應用中,SM4839NSKC-VB 能提供穩(wěn)定的電流傳輸,并在高頻開關的條件下確保高效能量轉換和更長的電池壽命。

3. **汽車電子與電池管理系統(tǒng)**:在汽車電子領域,特別是用于電池管理系統(tǒng)(BMS)和功率分配模塊中,該 MOSFET 可用于電池電流的開關控制,確保車輛電氣系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運行。

4. **馬達驅動與控制**:SM4839NSKC-VB 適用于直流電機驅動、電動工具的馬達控制等應用。其低導通電阻能夠有效減少功率損耗,提高驅動系統(tǒng)的效率和響應速度。

通過這些應用實例,可以看出,SM4839NSKC-VB 在高效電力管理、低功耗應用中具有廣泛的應用前景,特別是在需要高開關頻率和大電流負載的電子系統(tǒng)中。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    515瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    436瀏覽量