--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:SSG6680-VB
SSG6680-VB 是一款單 N-channel MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為高效能電源管理和功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)為 ±20V,適用于低電壓系統(tǒng)中的高效功率轉(zhuǎn)換。該 MOSFET 的閾值電壓(Vth)為 1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS = 4.5V 時(shí)為 11mΩ,在 VGS = 10V 時(shí)為 8mΩ,提供了低損耗的特性和高效的開關(guān)性能,使其在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。SSG6680-VB 的最大漏電流(ID)為 13A,具備強(qiáng)大的電流承載能力,廣泛應(yīng)用于各種電源模塊、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)、驅(qū)動控制電路等領(lǐng)域。
該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),優(yōu)化了開關(guān)速度和熱穩(wěn)定性,適用于各種需要高效能和高電流支持的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng),特別是在要求低導(dǎo)通損耗和高頻開關(guān)的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:SSG6680-VB
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 11mΩ(VGS = 4.5V)
- 8mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏電流(ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench(溝道工藝技術(shù))
- **最大功耗(Pd)**:2W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:
SSG6680-VB 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中具有廣泛應(yīng)用,特別是在高效升壓、降壓和升降壓轉(zhuǎn)換器中。由于其低 RDS(ON) 和高電流承載能力,該 MOSFET 能顯著減少轉(zhuǎn)換過程中的功率損耗,提高系統(tǒng)效率。在高頻工作條件下,SSG6680-VB 提供了卓越的開關(guān)性能,是便攜式設(shè)備、移動電源、電池管理系統(tǒng)等電源模塊中理想的開關(guān)元件。
2. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:
在電池管理系統(tǒng)中,SSG6680-VB 作為電池充放電控制的開關(guān)元件,能夠有效控制電池的電流流動,確保系統(tǒng)在充放電過程中始終保持高效和安全。低導(dǎo)通電阻和高電流能力保證了電池管理系統(tǒng)在負(fù)載變化時(shí)的穩(wěn)定性,同時(shí)減少了功率損耗,延長了電池的使用壽命。
3. **電動工具與家電**:
在電動工具和家電產(chǎn)品中,SSG6680-VB 用于驅(qū)動電機(jī)或作為電源管理開關(guān)。其低 RDS(ON) 和高電流承載能力使其能夠高效地驅(qū)動電動工具中的電機(jī),確保電機(jī)啟動和運(yùn)行時(shí)的功率損耗最小化,同時(shí)提高電動工具的效率和耐用性。例如,它可應(yīng)用于電動吸塵器、電動風(fēng)扇、洗衣機(jī)、攪拌機(jī)等設(shè)備中。
4. **汽車電子系統(tǒng)**:
在汽車電子領(lǐng)域,SSG6680-VB 被廣泛應(yīng)用于車載電池管理、充電控制模塊和電動驅(qū)動系統(tǒng)。由于其低功耗和高電流承載能力,這款 MOSFET 非常適合用于電動汽車、混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng),確保車輛在各種工況下都能獲得高效、穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換和功率管理。
5. **通信設(shè)備與網(wǎng)絡(luò)模塊**:
在通信設(shè)備,如基站電源、電源適配器以及路由器電源管理模塊中,SSG6680-VB 扮演著至關(guān)重要的角色。其高效的開關(guān)性能和低功耗特性使其能夠穩(wěn)定提供所需的電源,同時(shí)最大限度地減少熱量和功率損耗。在要求高效能、低損耗的通信系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可確保設(shè)備長期穩(wěn)定運(yùn)行。
6. **功率放大器與驅(qū)動控制電路**:
SSG6680-VB 也可用于功率放大器和驅(qū)動控制電路,尤其是在需要高頻和高電流開關(guān)操作的應(yīng)用中。MOSFET 的低導(dǎo)通電阻使其適合在高功率、低電壓的應(yīng)用場景下使用,能夠提供精準(zhǔn)的功率控制并保證系統(tǒng)的高效能。廣泛應(yīng)用于各類信號放大、功率放大器和驅(qū)動控制系統(tǒng)中。
### 總結(jié)
SSG6680-VB 由于其出色的低導(dǎo)通電阻、較高的電流承載能力和快速開關(guān)特性,廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)、電動工具、汽車電子、通信設(shè)備以及功率放大器等多個(gè)領(lǐng)域。無論是在需要高效能的電源轉(zhuǎn)換、低功耗的電池管理系統(tǒng),還是在高電流負(fù)載控制的驅(qū)動系統(tǒng)中,它都能提供可靠的解決方案,確保系統(tǒng)的高效、穩(wěn)定運(yùn)行。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛