91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

STS10N3LH5-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): STS10N3LH5-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### STS10N3LH5-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**STS10N3LH5-VB** 是一款高性能的單個(gè)N型MOSFET,采用SOP8封裝。其采用了**Trench技術(shù)**,專為需要高效導(dǎo)通和低開關(guān)損耗的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有較低的**RDS(ON)**,分別為**8mΩ@VGS=10V**和**11mΩ@VGS=4.5V**,支持**最大13A的電流承載能力**,在**30V的漏極電壓(VDS)**下工作。適用于各種低電壓、高頻、高效能要求的電路。

### STS10N3LH5-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:STS10N3LH5-VB  
- **封裝**:SOP8  
- **配置**:?jiǎn)蜰型通道(Single-N-Channel)  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:30V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 11mΩ@VGS=4.5V  
 - 8mΩ@VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:13A  
- **技術(shù)**:Trench  
- **工作溫度范圍**:請(qǐng)參考產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)  
- **最大功率損耗**:請(qǐng)參考產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)  
- **應(yīng)用領(lǐng)域**:適用于高效能電源管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源(SMPS)等模塊。

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)電路**  
  由于該MOSFET具有低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適用于高頻開關(guān)應(yīng)用,如電動(dòng)工具中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。其**低RDS(ON)**能有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。

2. **DC-DC變換器**  
  在**DC-DC轉(zhuǎn)換器**中,STS10N3LH5-VB憑借其低導(dǎo)通電阻和高效率,在高頻切換下能夠減少熱量產(chǎn)生,確保轉(zhuǎn)換器在負(fù)載波動(dòng)的情況下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**  
  用于電池管理系統(tǒng)中的電流監(jiān)控和電池保護(hù)電路,STS10N3LH5-VB能夠通過(guò)精確的電流控制和低RDS(ON)特性,提升電池充放電的效率,并確保系統(tǒng)的安全性。

4. **開關(guān)電源(SMPS)**  
  在開關(guān)電源模塊中,STS10N3LH5-VB MOSFET因其高頻開關(guān)能力和低功耗特性,能有效提升功率轉(zhuǎn)換效率,減少系統(tǒng)的電磁干擾。

5. **負(fù)載開關(guān)**  
  該MOSFET可作為負(fù)載開關(guān)應(yīng)用于多個(gè)電子設(shè)備中,提供高效的開關(guān)控制,適合需要快速響應(yīng)和低功率消耗的場(chǎng)合。

通過(guò)這些例子可以看出,**STS10N3LH5-VB** 在各種高效能電源管理、開關(guān)控制和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其適合那些對(duì)功率損耗和開關(guān)速度要求較高的設(shè)計(jì)。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    499瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    421瀏覽量