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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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STS13N3LLH5-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: STS13N3LLH5-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**STS13N3LLH5-VB** 是一款采用 SOP8 封裝的單 N 通道 MOSFET,專為高效能電源管理應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 具有 30V 的漏源電壓(VDS)和最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,適合高電流、高效率的應(yīng)用。其柵極閾值電壓(Vth)為 1.7V,導通電阻(RDS(ON))在 10V 的柵源電壓下為 8mΩ,在 4.5V 時為 11mΩ,提供低損耗、高導通能力,支持最大漏極電流(ID)為 13A。采用了 Trench 技術(shù),這使得其具有良好的電氣性能和熱性能,廣泛應(yīng)用于高效開關(guān)電源、負載開關(guān)和功率管理模塊等領(lǐng)域。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單 N 通道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C(具體依照 datasheet)

### 適用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **高效開關(guān)電源(SMPS)**:
  STS13N3LLH5-VB 在高效開關(guān)電源(SMPS)中廣泛應(yīng)用,尤其適用于低電壓、高電流的電源管理。其低導通電阻特性使得該 MOSFET 能夠減少功率損耗,提升整體系統(tǒng)效率。特別適合于 12V 或 24V 電壓等級的開關(guān)電源模塊。

2. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:
  由于其 13A 的大電流承載能力和低導通電阻,STS13N3LLH5-VB 非常適合用于電池管理系統(tǒng),特別是在電池充電和電池保護電路中。其低電阻和低功耗特性可以幫助優(yōu)化電池充電過程,提高電池管理系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

3. **負載開關(guān)與電源切換**:
  該 MOSFET 在負載開關(guān)和電源切換應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其適用于 12V 或更低電壓等級的電源切換和保護電路。它的低導通電阻和較高的電流承載能力使其能夠在負載快速變化的情況下保持穩(wěn)定的工作性能,廣泛應(yīng)用于家電和汽車電子領(lǐng)域。

4. **消費電子產(chǎn)品的電源管理模塊**:
  在消費電子產(chǎn)品(如智能手機、平板電腦、筆記本電腦等)中,STS13N3LLH5-VB 被用于高效的電源管理模塊。這些設(shè)備通常需要高效能的開關(guān)元件來優(yōu)化電池使用壽命和提高能源轉(zhuǎn)換效率。該 MOSFET 的低導通電阻和高電流承載能力,使其成為高效電源管理解決方案的理想選擇。

5. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:
  在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,STS13N3LLH5-VB 可用于實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換和穩(wěn)壓功能。它低導通電阻和較大的電流處理能力使其非常適合用于高效率的降壓或升壓轉(zhuǎn)換器,尤其是在功率較大的移動電源、工業(yè)電源或汽車電子電源模塊中。

通過這些應(yīng)用實例,可以看出 STS13N3LLH5-VB 適用于各種需要低功耗、高效率、高電流處理能力的應(yīng)用,尤其是在開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)以及電子設(shè)備的電源模塊中表現(xiàn)突出。

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