--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:TPC8004-VB
TPC8004-VB 是一款高性能、低導(dǎo)通電阻的 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專(zhuān)為高效能開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓為 30V,漏極電流可達(dá)到 13A,適用于要求高開(kāi)關(guān)效率和低功耗的多種電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該 MOSFET 的閾值電壓為 1.7V,具有極低的導(dǎo)通電阻(R_DS(ON) = 8mΩ @ V_GS = 10V),能夠在較低的柵電壓下提供高效的開(kāi)關(guān)性能。TPC8004-VB 使用 Trench 技術(shù)制造,確保了其出色的電流承載能力和低功耗特性。其廣泛應(yīng)用于便攜式電子設(shè)備、電源管理、智能家居及電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|--------------------------|------------------------------------|
| **型號(hào)** | TPC8004-VB |
| **封裝** | SOP8 |
| **配置** | 單一 N 通道 MOSFET |
| **漏源電壓 (V_DS)** | 30V |
| **柵源電壓 (V_GS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (V_th)** | 1.7V |
| **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))** | 11mΩ @ V_GS = 4.5V |
| **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))** | 8mΩ @ V_GS = 10V |
| **最大漏極電流 (I_D)** | 13A |
| **技術(shù)** | Trench |
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
1. **電源管理系統(tǒng)**:
TPC8004-VB 適用于各種電源管理應(yīng)用,尤其在需要低功耗和高效率的系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。作為電源開(kāi)關(guān),它能夠在較低的柵電壓下高效工作,具有出色的開(kāi)關(guān)特性,常用于電源供應(yīng)模塊、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源管理芯片中,確保高效的電能轉(zhuǎn)換和最小化能量損耗。
2. **便攜式電子設(shè)備**:
由于其低導(dǎo)通電阻和較小的尺寸,TPC8004-VB 非常適用于便攜式電子設(shè)備中的電源管理部分,如智能手機(jī)、平板電腦、藍(lán)牙耳機(jī)和其他手持設(shè)備。MOSFET 可作為電池保護(hù)和電流開(kāi)關(guān)元件,提高電池的使用效率和設(shè)備的電力控制。其高效開(kāi)關(guān)特性保證了設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間使用中的低能耗。
3. **負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用**:
在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,TPC8004-VB 可用于各種需要精確電流切換的場(chǎng)合。作為負(fù)載開(kāi)關(guān),它能夠控制電流在不同的電路模塊之間流動(dòng),在智能家居和自動(dòng)化設(shè)備中尤為重要。通過(guò)低導(dǎo)通電阻,TPC8004-VB 可提供快速響應(yīng)和高效切換,適用于電動(dòng)窗簾、LED 燈光控制等場(chǎng)景。
4. **電池管理系統(tǒng)**:
在電池管理系統(tǒng)中,TPC8004-VB 可用作功率開(kāi)關(guān),控制電池充電和放電的過(guò)程。由于其高效的導(dǎo)電性和低電流損耗,TPC8004-VB 可以顯著提高電池管理系統(tǒng)的效率,減少過(guò)充、過(guò)放的風(fēng)險(xiǎn),并延長(zhǎng)電池壽命。尤其在電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車(chē)和其他可充電設(shè)備中,這種 MOSFET 在電池電流控制中的應(yīng)用非常廣泛。
5. **智能家居和自動(dòng)化設(shè)備**:
TPC8004-VB 可廣泛應(yīng)用于智能家居和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備中,作為電源控制和負(fù)載開(kāi)關(guān)的核心元件。在這些設(shè)備中,它負(fù)責(zé)控制各類(lèi)負(fù)載的電流供應(yīng),如智能開(kāi)關(guān)、傳感器、控制面板等。其低導(dǎo)通電阻特性有助于提升系統(tǒng)的總體效率,減少功耗并延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。
6. **電動(dòng)工具和家電**:
TPC8004-VB 還可用于電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車(chē)充電器和其他家用電器的電源控制部分。由于其較高的電流承載能力和低功耗特性,這款 MOSFET 在電動(dòng)工具電池的電流管理和電池充電控制中尤其有效。它可用作電源開(kāi)關(guān)和過(guò)流保護(hù)元件,確保設(shè)備的安全和高效運(yùn)行。
### 總結(jié):
TPC8004-VB 是一款低導(dǎo)通電阻、功率高效的 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,適用于多種要求高效能開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。它特別適用于電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池管理系統(tǒng)以及智能家居和自動(dòng)化設(shè)備等領(lǐng)域。TPC8004-VB 提供了出色的電流控制能力、低功耗特性和高開(kāi)關(guān)效率,在便攜式電子設(shè)備、電動(dòng)工具和家電中也有廣泛應(yīng)用。其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中不可或缺的核心元件。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛