--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**UPA2709GR-VB** 是一款高性能的單 N 型 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為高電流開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該型號(hào)的最大漏源電壓(VDS)為 30V,最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,具備 13A 的最大漏極電流(ID),非常適合在電源管理、負(fù)載開關(guān)以及高功率開關(guān)電路中使用。UPA2709GR-VB 采用 Trench 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))特性,在 VGS 為 10V 時(shí) RDS(ON) 僅為 8mΩ,這意味著其可以提供較低的功率損耗,提升系統(tǒng)的整體效率。該 MOSFET 適合各種需要高開關(guān)頻率、高電流和低功耗的應(yīng)用,廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)、LED 驅(qū)動(dòng)電路和電源適配器等領(lǐng)域。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:SOP8
- **配置類型**:?jiǎn)?N 型 MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:13A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽技術(shù))
### 適用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng)**
UPA2709GR-VB 以其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,非常適用于電源管理系統(tǒng)中,特別是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)中。其低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))可以顯著減少能量損失,提升系統(tǒng)效率,確保在高效能和高可靠性之間取得平衡。適用于智能手機(jī)、筆記本電腦以及消費(fèi)電子等領(lǐng)域,確保電池更高效地轉(zhuǎn)換能量。
2. **負(fù)載開關(guān)應(yīng)用**
由于其低 RDS(ON) 和高電流處理能力,UPA2709GR-VB 非常適合用于負(fù)載開關(guān)電路,尤其是在需要高電流的負(fù)載開關(guān)場(chǎng)合中。其出色的開關(guān)性能使其適用于各種負(fù)載開關(guān)和電源切換模塊,廣泛應(yīng)用于智能家居、LED 照明、電動(dòng)工具等領(lǐng)域。
3. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**
在 LED 驅(qū)動(dòng)電路中,UPA2709GR-VB 的低 RDS(ON) 和高電流能力非常適合處理高電流、低電壓的LED驅(qū)動(dòng)需求。它能有效地調(diào)節(jié)電流,確保 LED 系統(tǒng)的高效能和長(zhǎng)壽命。特別適用于智能照明、顯示屏驅(qū)動(dòng)和背光控制等 LED 應(yīng)用。
4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
UPA2709GR-VB 由于其高電流承載能力,非常適用于電池管理系統(tǒng)(BMS),特別是在電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具等電池驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中。其低 RDS(ON) 使得電池充電、放電過(guò)程更高效,同時(shí)減少了能量損失,保護(hù)電池免受過(guò)熱和過(guò)載的影響,確保電池的長(zhǎng)久使用。
5. **電源適配器與充電器**
在電源適配器和充電器中,UPA2709GR-VB 能有效地提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少功率損耗。該 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻使其成為充電器設(shè)計(jì)中的理想選擇,適用于智能手機(jī)、筆記本電腦等設(shè)備的快速充電模塊。
6. **電動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**
由于其高電流能力,UPA2709GR-VB 適用于馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路中,尤其是在要求高電流和快速切換的電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中。它能夠提供高效的電流調(diào)節(jié),特別是在工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)工具和機(jī)器人等應(yīng)用中。
7. **工業(yè)自動(dòng)化與控制系統(tǒng)**
UPA2709GR-VB 的高效能和低功耗特點(diǎn),使其非常適合在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中用作開關(guān)元件,處理大功率負(fù)載的開關(guān)操作。無(wú)論是電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載控制還是其他高功率應(yīng)用,它都能提供穩(wěn)定且高效的工作性能。
### 總結(jié)
UPA2709GR-VB 是一款高效能、低功耗的單 N 型 MOSFET,適用于需要高電流開關(guān)的各類應(yīng)用。憑借其低導(dǎo)通電阻、Trench 技術(shù)和高電流承載能力,該 MOSFET 是電源管理、LED 驅(qū)動(dòng)、電池管理、負(fù)載開關(guān)等多個(gè)領(lǐng)域的理想選擇。其 SOP8 封裝使其在空間受限的設(shè)計(jì)中也能夠發(fā)揮出色的性能,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛