--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**UT4404G-S08-R-VB** 是一款單N-Channel MOSFET,采用SOP8封裝,具有30V的最大漏極-源極電壓(VDS)和13A的最大漏極電流(ID)。該MOSFET設(shè)計(jì)用于中小功率、高效率的應(yīng)用,適用于要求低導(dǎo)通電阻和良好開關(guān)性能的電路。其RDS(ON)值分別為11mΩ(VGS=4.5V)和8mΩ(VGS=10V),為低功耗電路提供了優(yōu)異的性能。閾值電壓(Vth)為1.7V,意味著它能夠在較低的柵極電壓下順利開啟,適合用于多種低電壓控制應(yīng)用。采用Trench技術(shù),UT4404G-S08-R-VB提供了低導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)響應(yīng),適合用在電源管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中。
### 2. 詳細(xì)的參數(shù)說(shuō)明
| **參數(shù)** | **值** | **說(shuō)明** |
|-------------------|-------------------------------------|----------------------------------------------------|
| **型號(hào)** | UT4404G-S08-R-VB | MOSFET型號(hào) |
| **封裝** | SOP8 | SOP8封裝,適合中小功率電路,適合較高的電流負(fù)載 |
| **結(jié)構(gòu)** | Single-N-Channel | 單N型MOSFET結(jié)構(gòu) |
| **VDS** | 30V | 漏極-源極最大電壓 |
| **VGS** | ±20V | 柵極-源極最大電壓 |
| **Vth** | 1.7V | 柵極閾值電壓 |
| **RDS(ON)** | 11mΩ@VGS=4.5V | 在VGS=4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻 |
| **RDS(ON)** | 8mΩ@VGS=10V | 在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻 |
| **ID** | 13A | 最大漏極電流 |
| **技術(shù)** | Trench | Trench技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)性能 |
### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
**電源管理和DC-DC轉(zhuǎn)換器:**
UT4404G-S08-R-VB在電源管理系統(tǒng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中廣泛應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))能夠有效降低功率損耗,尤其在需要高電流轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景中表現(xiàn)優(yōu)秀。例如,在嵌入式電源管理模塊或高效能開關(guān)電源中,UT4404G-S08-R-VB能提供高效的電能轉(zhuǎn)換,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行。
**電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng):**
在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,UT4404G-S08-R-VB能夠承受較高的電流,適用于電動(dòng)工具、電動(dòng)交通工具和家電中的電動(dòng)機(jī)控制。例如,在電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,UT4404G-S08-R-VB提供穩(wěn)定的電流控制,有效減少熱損耗,并提高驅(qū)動(dòng)效率。
**馬達(dá)控制與逆變器:**
UT4404G-S08-R-VB也適合用于馬達(dá)控制和逆變器應(yīng)用中,尤其是低功率馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)電路。其出色的開關(guān)特性和較低的導(dǎo)通電阻使其能夠在頻繁切換的工作條件下提供高效的控制。例如,在太陽(yáng)能逆變器或家用電器中的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路中,UT4404G-S08-R-VB提供穩(wěn)定的功率輸出,確保設(shè)備的高效能。
**電池管理系統(tǒng)(BMS):**
UT4404G-S08-R-VB的高電流承載能力和低RDS(ON)特性使其適用于電池管理系統(tǒng)(BMS)。在鋰電池等高功率電池系統(tǒng)的充電與放電過(guò)程中,UT4404G-S08-R-VB能夠提供精確的電流調(diào)節(jié)和安全保護(hù),避免過(guò)充過(guò)放,保護(hù)電池的安全和延長(zhǎng)使用壽命。
**LED驅(qū)動(dòng)電路:**
在LED驅(qū)動(dòng)電路中,UT4404G-S08-R-VB能夠提供穩(wěn)定的電流控制,適用于高效能的LED照明系統(tǒng)。它能夠減少電流變化引起的光效波動(dòng),并降低功率損耗,使LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)更加高效、穩(wěn)定,適合應(yīng)用于家居照明、商業(yè)照明及汽車照明等場(chǎng)合。
**低壓控制電路與開關(guān):**
由于UT4404G-S08-R-VB的柵極閾值電壓為1.7V,它非常適用于低壓控制電路,如低壓信號(hào)調(diào)理、低電壓控制的開關(guān)電路等??梢栽?V或3.3V的系統(tǒng)中使用,為低壓電路提供可靠的開關(guān)控制,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、傳感器系統(tǒng)、自動(dòng)化設(shè)備等。
綜上所述,**UT4404G-S08-R-VB**憑借其低RDS(ON)、高電流承載能力和Trench技術(shù),在多個(gè)領(lǐng)域中提供了高效、可靠的解決方案,特別是在電源管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明、以及各種低功率應(yīng)用中,展現(xiàn)出優(yōu)異的性能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛