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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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ZXMN3B04N8TC-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: ZXMN3B04N8TC-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介:**

ZXMN3B04N8TC-VB 是一款高性能的單通道 N 溝道 MOSFET,采用了優(yōu)質(zhì)的 Trench 技術(shù),提供卓越的電氣性能和低導(dǎo)通電阻。該器件封裝為 SOP-8,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域。其工作電壓范圍為 VDS 30V,具有較低的 RDS(ON) 值,分別為 11mΩ(VGS = 4.5V)和 8mΩ(VGS = 10V)。最大漏極電流(ID)為 13A,適合高效電源管理和開關(guān)電路設(shè)計。

---

**詳細(xì)參數(shù)說明:**

- **型號**:ZXMN3B04N8TC-VB
- **封裝形式**:SOP-8
- **通道配置**:單 N 溝道
- **漏極源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - RDS(ON) = 11mΩ (VGS = 4.5V)
 - RDS(ON) = 8mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench 工藝
- **最大功率耗散**:最大可承受功率根據(jù)電流和溫度條件變化,典型為數(shù)瓦特
- **最大工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C(通常情況下是室溫至 125°C)

---

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例:**

ZXMN3B04N8TC-VB MOSFET 由于其低 RDS(ON) 和高電流能力,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:

1. **電源管理**:
  - 適用于開關(guān)電源(SMPS)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)中,作為高效的開關(guān)元件。其低導(dǎo)通電阻可以顯著降低功耗,提高系統(tǒng)效率,特別是在高頻和高負(fù)載情況下。

2. **負(fù)載開關(guān)**:
  - 在各種電子設(shè)備中作為負(fù)載開關(guān)使用,特別適用于需要高效率和低導(dǎo)通損耗的場景。可以廣泛應(yīng)用于計算機(jī)電源、通信設(shè)備、電動工具等領(lǐng)域。

3. **LED 驅(qū)動電路**:
  - 用于LED驅(qū)動電路中的開關(guān)元件。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,可以確保驅(qū)動電路在高負(fù)載情況下仍保持高效穩(wěn)定的運(yùn)行。

4. **汽車電子**:
  - 在汽車電源模塊中,ZXMN3B04N8TC-VB 可用作電池管理系統(tǒng)、電子控制單元 (ECU) 的電源開關(guān)。該器件具有較高的溫度穩(wěn)定性,非常適合汽車電子的嚴(yán)苛環(huán)境。

5. **功率放大器和低壓控制電路**:
  - 在RF放大器、電機(jī)控制以及其他低電壓控制電路中作為開關(guān)元件,提供快速響應(yīng)和較低的功率損耗,確保系統(tǒng)的高效能。

這些應(yīng)用充分利用了 ZXMN3B04N8TC-VB MOSFET 的優(yōu)異性能,確保系統(tǒng)在節(jié)能、空間優(yōu)化以及長時間穩(wěn)定運(yùn)行方面表現(xiàn)出色。

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