--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡介:**
ZXMN3B04N8TC-VB 是一款高性能的單通道 N 溝道 MOSFET,采用了優(yōu)質(zhì)的 Trench 技術(shù),提供卓越的電氣性能和低導(dǎo)通電阻。該器件封裝為 SOP-8,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域。其工作電壓范圍為 VDS 30V,具有較低的 RDS(ON) 值,分別為 11mΩ(VGS = 4.5V)和 8mΩ(VGS = 10V)。最大漏極電流(ID)為 13A,適合高效電源管理和開關(guān)電路設(shè)計。
---
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **型號**:ZXMN3B04N8TC-VB
- **封裝形式**:SOP-8
- **通道配置**:單 N 溝道
- **漏極源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- RDS(ON) = 11mΩ (VGS = 4.5V)
- RDS(ON) = 8mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench 工藝
- **最大功率耗散**:最大可承受功率根據(jù)電流和溫度條件變化,典型為數(shù)瓦特
- **最大工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C(通常情況下是室溫至 125°C)
---
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例:**
ZXMN3B04N8TC-VB MOSFET 由于其低 RDS(ON) 和高電流能力,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. **電源管理**:
- 適用于開關(guān)電源(SMPS)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)中,作為高效的開關(guān)元件。其低導(dǎo)通電阻可以顯著降低功耗,提高系統(tǒng)效率,特別是在高頻和高負(fù)載情況下。
2. **負(fù)載開關(guān)**:
- 在各種電子設(shè)備中作為負(fù)載開關(guān)使用,特別適用于需要高效率和低導(dǎo)通損耗的場景。可以廣泛應(yīng)用于計算機(jī)電源、通信設(shè)備、電動工具等領(lǐng)域。
3. **LED 驅(qū)動電路**:
- 用于LED驅(qū)動電路中的開關(guān)元件。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,可以確保驅(qū)動電路在高負(fù)載情況下仍保持高效穩(wěn)定的運(yùn)行。
4. **汽車電子**:
- 在汽車電源模塊中,ZXMN3B04N8TC-VB 可用作電池管理系統(tǒng)、電子控制單元 (ECU) 的電源開關(guān)。該器件具有較高的溫度穩(wěn)定性,非常適合汽車電子的嚴(yán)苛環(huán)境。
5. **功率放大器和低壓控制電路**:
- 在RF放大器、電機(jī)控制以及其他低電壓控制電路中作為開關(guān)元件,提供快速響應(yīng)和較低的功率損耗,確保系統(tǒng)的高效能。
這些應(yīng)用充分利用了 ZXMN3B04N8TC-VB MOSFET 的優(yōu)異性能,確保系統(tǒng)在節(jié)能、空間優(yōu)化以及長時間穩(wěn)定運(yùn)行方面表現(xiàn)出色。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它