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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFI740GLCPBF-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFI740GLCPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:IRFI740GLCPBF-VB

IRFI740GLCPBF-VB 是一款封裝為TO220F的單N溝道MOSFET,專為高電壓應用設計。其最大漏源極電壓達到650V,能夠承受較高的電壓應力,同時具有12A的連續(xù)漏極電流能力。該MOSFET采用Plannar技術,具有較高的導通電阻(RDS(ON)),適用于高電壓和中等電流的開關和放大應用。其較高的柵極閾值電壓(Vth)和寬柵源極電壓范圍(±30V)使其在各種電壓驅動條件下穩(wěn)定工作。

### 詳細參數(shù)說明:

1. **封裝類型**:TO220F
2. **配置**:單N溝道MOSFET
3. **漏源極電壓(VDS)**:650V
4. **柵源極電壓(VGS)**:±30V
5. **柵極閾值電壓(Vth)**:3.5V
6. **導通電阻(RDS(ON))**:
  - 680mΩ @ VGS = 10V
7. **連續(xù)漏極電流(ID)**:12A
8. **脈沖漏極電流**:通常高于連續(xù)漏極電流,具體取決于應用條件
9. **技術**:Plannar技術
10. **最大功率耗散**:依據(jù)散熱條件和環(huán)境溫度,可調節(jié)
11. **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
12. **總柵極電荷(Qg)**:與開關性能相關
13. **輸入電容(Ciss)**:評估開關速度時的重要指標

### 適用領域和模塊舉例:

1. **高電壓開關電源**
IRFI740GLCPBF-VB 的高漏源極電壓(650V)使其非常適合用作高電壓開關電源中的開關器件。在這些應用中,MOSFET 的高電壓承受能力可以有效保護電源電路,確保穩(wěn)定的電源轉換和管理。

2. **電力逆變器**
在電力逆變器中,該MOSFET 的高電壓能力和中等電流承載能力使其能夠處理高電壓直流電源并將其轉換為交流電。IRFI740GLCPBF-VB 的性能能夠支持太陽能逆變器、風能逆變器等新能源系統(tǒng)中電力的高效轉換。

3. **電機驅動控制**
IRFI740GLCPBF-VB 可用于電機驅動控制模塊中,特別是需要高電壓和中等電流的應用。其高電壓承受能力和穩(wěn)健的開關性能能夠支持電機啟動、運行和調速過程中的電力控制。

4. **高電壓開關應用**
該MOSFET 適用于高電壓開關應用,如高壓負載切換和高電壓電源開關。在這些應用中,IRFI740GLCPBF-VB 能夠提供可靠的開關性能,并確保系統(tǒng)在高電壓條件下的穩(wěn)定性。

5. **汽車電氣系統(tǒng)**
在汽車電氣系統(tǒng)中,例如汽車燈光控制和電池管理系統(tǒng),該MOSFET 的高電壓能力和穩(wěn)定性能也可以得到應用。它能有效地處理汽車系統(tǒng)中的高電壓信號,并保持系統(tǒng)的可靠性和安全性。

IRFI740GLCPBF-VB 以其高電壓能力和穩(wěn)定性能,適用于各種需要處理高電壓和中等電流的應用場景。

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