91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

IRFI740GPBF-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFI740GPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

IRFI740GPBF-VB 是一款高電壓單 N 溝道功率 MOSFET,封裝形式為 TO220F。它設計用于需要高電壓的應用,具有 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 12A 的漏極電流 (ID)。該 MOSFET 采用 Plannar 技術(shù),適用于中等電流和高電壓環(huán)境。IRFI740GPBF-VB 提供了適中的導通電阻,能夠在高電壓條件下穩(wěn)定工作。其較高的 VDS 和中等的 RDS(ON) 使其在許多高電壓應用中具有良好的性能。

### 二、詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 溝道
- **VDS (漏源電壓)**: 650V
- **VGS (柵源電壓)**: ±30V
- **Vth (閾值電壓)**: 3.5V
- **RDS(ON) (導通電阻)**:  
 - 680mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: 12A
- **技術(shù)**: Plannar 技術(shù)

IRFI740GPBF-VB 的高 VDS 和中等 RDS(ON) 使其在需要高電壓而中等電流的應用中表現(xiàn)良好。其 Plannar 技術(shù)提供了穩(wěn)定的性能,適合于高電壓開關(guān)和控制應用。

### 三、應用領域與模塊舉例

1. **高電壓開關(guān)應用**  
  IRFI740GPBF-VB 適用于高電壓開關(guān)應用,如高壓直流電源開關(guān)和高電壓負載的開關(guān)控制。其高漏源電壓能力能夠在這些應用中提供可靠的開關(guān)性能,確保電源系統(tǒng)在高電壓條件下的穩(wěn)定性和安全性。

2. **電力逆變器**  
  在電力逆變器(如太陽能逆變器和風能逆變器)中,IRFI740GPBF-VB 的高電壓能力和適中的導通電阻使其成為理想選擇。其能夠處理高電壓直流輸入,同時穩(wěn)定地控制逆變器輸出,提高逆變器的整體效率和可靠性。

3. **電源管理系統(tǒng)**  
  在高電壓電源管理系統(tǒng)中,IRFI740GPBF-VB 可以用作高電壓保護和控制開關(guān)。其高 VDS 能力使其能夠在電源保護電路中有效工作,確保系統(tǒng)的過電壓和過流保護。

4. **高壓電機驅(qū)動**  
  對于高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)(如某些工業(yè)電機和泵驅(qū)動系統(tǒng)),IRFI740GPBF-VB 提供了高電壓和中等電流的處理能力。其穩(wěn)定的開關(guān)性能和高 VDS 能夠滿足高電壓電機驅(qū)動應用中的功率開關(guān)需求,提高電機控制系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    515瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    437瀏覽量