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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFI830GPBF-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFI830GPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

IRFI830GPBF-VB 是一款高電壓N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。它設(shè)計(jì)用于高電壓應(yīng)用,具有650V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS)額定值。這款MOSFET使用Plannar技術(shù),以提供高電壓耐受能力和穩(wěn)定性。雖然其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為2560mΩ @ VGS=10V相對(duì)較高,但它的高耐壓能力使其在需要高電壓開(kāi)關(guān)和控制的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **型號(hào)**: IRFI830GPBF-VB
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **開(kāi)啟閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar(平面型技術(shù))

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **高壓電源開(kāi)關(guān)**: IRFI830GPBF-VB 的650V漏源電壓使其適合用于高電壓電源開(kāi)關(guān)。在電力電子設(shè)備中,如高電壓電源模塊、工業(yè)電源開(kāi)關(guān)等應(yīng)用中,這款MOSFET可以安全有效地控制高電壓負(fù)載。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**: 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,特別是需要高電壓控制的電機(jī),如交流電機(jī)和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,IRFI830GPBF-VB 提供了高耐壓的開(kāi)關(guān)功能,適合用作電機(jī)控制電路中的開(kāi)關(guān)組件。

3. **逆變器**: 用于高電壓逆變器(如太陽(yáng)能逆變器和高電壓變頻器)中,IRFI830GPBF-VB 能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,確保逆變過(guò)程中的可靠開(kāi)關(guān)控制。

4. **電源保護(hù)**: 在高電壓電源保護(hù)應(yīng)用中,例如過(guò)電壓保護(hù)電路,IRFI830GPBF-VB 可以防止電路過(guò)電壓導(dǎo)致的損壞。其高耐壓特性使其能夠處理高電壓輸入,保護(hù)電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

5. **功率轉(zhuǎn)換模塊**: 在功率轉(zhuǎn)換模塊中,如高電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器或AC-DC電源轉(zhuǎn)換器,IRFI830GPBF-VB 可以用作主要開(kāi)關(guān)元件,處理高電壓輸入和輸出,提高轉(zhuǎn)換效率。

IRFI830GPBF-VB 的高電壓耐受能力和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能,使其在高電壓電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器、電源保護(hù)以及功率轉(zhuǎn)換模塊等應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,尤其適合處理需要高電壓控制的復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景。

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