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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFIBC30GPBF-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFIBC30GPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFIBC30GPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRFIBC30GPBF-VB** 是一款高電壓 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝。該 MOSFET 采用 Plannar 技術(shù)制造,能夠在高達(dá) 650V 的漏極-源極電壓下穩(wěn)定工作。其最大連續(xù)漏極電流為 4A,適合用于需要高電壓開關(guān)的中低電流應(yīng)用。IRFIBC30GPBF-VB 提供了較高的導(dǎo)通電阻(2560mΩ @ VGS=10V),在高電壓環(huán)境中保證可靠的開關(guān)性能,非常適合需要高電壓承受能力的電路。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:Plannar

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高電壓開關(guān)**:
  IRFIBC30GPBF-VB 由于其高達(dá) 650V 的漏極-源極電壓,非常適合用于高電壓開關(guān)應(yīng)用。比如在高電壓直流電源的開關(guān)電路中,它能夠穩(wěn)定地處理電壓波動(dòng)和負(fù)載開關(guān)。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但在高電壓環(huán)境下仍能提供足夠的開關(guān)性能。

2. **電源管理**:
  在電源管理系統(tǒng)中,IRFIBC30GPBF-VB 可以用作高電壓電源保護(hù)或電流控制開關(guān)。它的高電壓承受能力允許在電源系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)安全斷開,防止過電壓對(duì)電源系統(tǒng)造成損害。在電源過壓保護(hù)電路中,它能夠確保系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

3. **電機(jī)控制**:
  IRFIBC30GPBF-VB 也適用于高電壓電機(jī)控制應(yīng)用,如在大功率電動(dòng)工具和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但其高電壓能力使其適合用于高電壓環(huán)境中的開關(guān)控制,確保電機(jī)運(yùn)行中的可靠性。

4. **高壓逆變器**:
  在高壓逆變器或變頻器應(yīng)用中,IRFIBC30GPBF-VB 的高電壓承受能力使其能夠處理高電壓轉(zhuǎn)換任務(wù)。它可以用于高壓直流到交流逆變的場(chǎng)合,盡管其導(dǎo)通電阻較高,但其穩(wěn)定的開關(guān)性能在這些高電壓應(yīng)用中仍然是一個(gè)可靠的選擇。

IRFIBC30GPBF-VB 以其高電壓承受能力和可靠的開關(guān)性能,適用于高電壓開關(guān)、電源管理、電機(jī)控制和高壓逆變器等領(lǐng)域,提供了穩(wěn)定的開關(guān)解決方案。

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