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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFIBC40GPBF-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFIBC40GPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFIBC40GPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRFIBC40GPBF-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的單極 N 通道 MOSFET,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有最大漏極源極電壓 650V,能夠穩(wěn)定地處理較高的電壓負(fù)載。此 MOSFET 的溝道導(dǎo)通電阻為 1100mΩ(VGS = 10V),在中等電流條件下提供了有效的開關(guān)性能。采用 Plannar 技術(shù),該 MOSFET 適合于高電壓環(huán)境中的各種電子應(yīng)用,提供了良好的開關(guān)速度和穩(wěn)定性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:IRFIBC40GPBF-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)螛O N 通道
- **最大漏極源極電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高電壓電源開關(guān)**:IRFIBC40GPBF-VB 適合用于高電壓電源開關(guān)應(yīng)用。其高漏極源極電壓能力使其能夠在高電壓電源系統(tǒng)中穩(wěn)定地開關(guān)控制電流,常見于高壓電源保護(hù)和電源轉(zhuǎn)換器中,提供了可靠的開關(guān)性能和低功耗操作。

2. **逆變器**:在逆變器電路中,這款 MOSFET 可用作高電壓直流到交流轉(zhuǎn)換的開關(guān)元件。其高電壓耐受能力和穩(wěn)定的開關(guān)性能確保了逆變器在高電壓環(huán)境下的高效工作,提升了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和可靠性。

3. **電源管理系統(tǒng)**:IRFIBC40GPBF-VB 適合用于電源管理系統(tǒng)中的高電壓應(yīng)用,如開關(guān)電源和功率調(diào)節(jié)器。在這些應(yīng)用中,它的中等導(dǎo)通電阻和高電壓能力能夠提供有效的功率轉(zhuǎn)換和管理,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性。

4. **高電壓負(fù)載控制**:這款 MOSFET 可用于高電壓負(fù)載控制應(yīng)用,如高電壓電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和電力開關(guān)電路。其高電壓耐受能力和有效的開關(guān)性能使其在這些負(fù)載高電壓環(huán)境中提供可靠的控制,適合用于各種高電壓負(fù)載的開關(guān)操作。

總的來(lái)說(shuō),IRFIBC40GPBF-VB 是一款高電壓、高功率密度的 N 通道 MOSFET,其優(yōu)異的性能使其在高電壓電源開關(guān)、逆變器、電源管理和負(fù)載控制等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。

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